[發明專利]LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板

有效

• 申請號: 201810356587.8
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108565247B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 李立勝;劉廣輝
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;程曉

本發明提供一種LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板。本發明的LTPS TFT基板的制作方法，在利用光阻層在層間絕緣層和柵極絕緣層上對應于源漏極接觸區的上方蝕刻形成過孔之后，并在剝離去除光阻層之前，在所述過孔位置處沉積導電材料而在過孔內形成與所述源漏極接觸區相接觸的導電層，后續使得源漏極與過孔內的導電層相接觸進而與源漏極接觸區相導通，從而能夠有效改善Re?etch LDD技術中源漏極與源漏極接觸區接觸阻抗偏高的不足，進而在不影響產品特性的情況下，可通過Re?etch LDD技術減少一道光罩制程，并且使過孔與光阻層之間形成底切結構，避免所沉積的導電材料對剝離光阻層產生影響，保證光阻層的剝離效率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板。

背景技術

在顯示技術領域，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩陣驅動式有機電致發光(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)顯示器等平板顯示裝置因具有機身薄、高畫質、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用，如：移動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆記本屏幕等。

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列(Array)基板是目前LCD裝置和AMOLED裝置中的主要組成部件，直接關系到高性能平板顯示裝置的發展方向，用于向顯示器提供驅動電路，通常設置有數條柵極掃描線和數條數據線，該數條柵極掃描線和數條數據線限定出多個像素單元，每個像素單元內設置有薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的柵極與相應的柵極掃描線相連，當柵極掃描線上的電壓達到開啟電壓時，薄膜晶體管的源極和漏極導通，從而將數據線上的數據電壓輸入至像素電極，進而控制相應像素區域的顯示。通常陣列基板上薄膜晶體管的結構又包括層疊設置于襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏極、及絕緣保護層。

其中，低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶體管與傳統非晶硅(A-Si)薄膜晶體管相比，雖然制作工藝復雜，但因其具有更高的載流子遷移率，被廣泛用于中小尺寸高分辨率的LCD和AMOLED顯示面板的制作，低溫多晶硅被視為實現低成本全彩平板顯示的重要材料。

熱載流子效應是金屬氧化物半導體(Metal Oxide Semiconductor，MOS)器件的一個重要失效機理，隨著MOS器件尺寸的日益縮小，器件的熱載流子注入效應越來越嚴重。在LTPS陣列技術中，為了有效抑制LTPS N型金屬氧化物半導體(NMOS)器件的熱載流子效應，提高器件工作的穩定性及改善器件在負偏置條件下的漏電流，現有的LTPS NMOS制作工藝通常采取輕摻雜漏區(Lightly Doped Drain，LDD)方式，即是在多晶硅(Poly-Si)溝道中靠近源漏極的附近設置一個低摻雜的區域，讓該低摻雜的區域也承受部分分壓。

目前通常被應用的LDD工藝為MASK(光罩)LDD技術及Re-etch(重復蝕刻)LDD技術，其中采用MASK LDD技術制作LTPS陣列基板的過程包括如下步驟：

步驟S10、如圖1所示，在基板100上依次形成緩沖層200和多晶硅有源層300，在所述多晶硅有源層300上涂覆光阻，并通過一道光罩經曝光顯影處理形成光阻圖案980，以所述光阻圖案980為遮蔽層，向多晶硅有源層300兩端植入高劑量的N型離子(磷離子P+，1x10¹⁴～1x10¹⁵ions/cm²)，形成源漏極接觸區310；