[發(fā)明專(zhuān)利]LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810356587.8
• 申請(qǐng)日: 2018-04-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108565247B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李立勝;劉廣輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;程曉

1.一種LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上由下至上依次形成緩沖層(20)、多晶硅有源層(30)、柵極絕緣層(40)、柵極(50)及層間絕緣層(60)；

所述多晶硅有源層(30)具有位于兩端的源漏極接觸區(qū)(31)、位于中間的溝道區(qū)(32)及位于源漏極接觸區(qū)(31)與溝道區(qū)(32)之間的LDD區(qū)(33)；所述柵極絕緣層(40)在所述緩沖層(20)上覆蓋所述多晶硅有源層(30)；所述柵極(50)在所述柵極絕緣層(40)上對(duì)應(yīng)位于所述多晶硅有源層(30)的溝道區(qū)(32)的上方；所述層間絕緣層(60)在所述柵極絕緣層(40)上覆蓋所述柵極(50)；

步驟S2、在所述層間絕緣層(60)上涂布光阻，經(jīng)曝光、顯影后得到光阻層(90)，所述光阻層(90)對(duì)應(yīng)于所述源漏極接觸區(qū)(31)的上方具有過(guò)孔圖案(95)而露出層間絕緣層(60)；

步驟S3、以所述光阻層(90)為遮蔽層，對(duì)所述層間絕緣層(60)和柵極絕緣層(40)進(jìn)行干法蝕刻，在所述層間絕緣層(60)和柵極絕緣層(40)上對(duì)應(yīng)于所述源漏極接觸區(qū)(31)的上方形成過(guò)孔(65)，使形成的所述過(guò)孔(65)和光阻層(90)之間形成底切結(jié)構(gòu)，所述過(guò)孔(65)的縱截面呈倒置梯形，所述光阻層(90)伸到所述過(guò)孔(65)上方而遮蓋所述過(guò)孔(65)孔壁的頂部；

步驟S4、在所述過(guò)孔(65)位置處沉積導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料穿過(guò)所述光阻層(90)在過(guò)孔(65)內(nèi)形成與所述源漏極接觸區(qū)(31)相接觸的導(dǎo)電層(70)，剝離去除所述光阻層(90)及光阻層(90)上的導(dǎo)電材料；

步驟S5、在所述層間絕緣層(60)上沉積并圖案化形成源漏極(80)，所述源漏極(80)與所述過(guò)孔(65)內(nèi)的導(dǎo)電層(70)相接觸進(jìn)而與所述源漏極接觸區(qū)(31)相導(dǎo)通。

2.如權(quán)利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S4中所沉積形成的導(dǎo)電層(70)為金屬材料層或金屬氧化物材料層。

3.如權(quán)利要求2所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S4中所沉積形成的導(dǎo)電層(70)為金屬鉬層。

4.如權(quán)利要求2所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S4中所沉積形成的導(dǎo)電層(70)為N型離子摻雜的非晶硅層。

5.如權(quán)利要求2所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S3中對(duì)所述層間絕緣層(60)和柵極絕緣層(40)進(jìn)行干法蝕刻的蝕刻氣體包含氧氣，該蝕刻氣體還包含六氟化硫、五氟乙烷及四氟化碳中的一種或多種。

6.如權(quán)利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括如下步驟：

步驟S11、提供襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上形成多晶硅層，對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行圖案化處理，得到多晶硅有源層(30)，在所述緩沖層(20)上形成覆蓋多晶硅有源層(30)的柵極絕緣層(40)；

步驟S12、在所述柵極絕緣層(40)沉積金屬層，在所述金屬層上對(duì)應(yīng)于所述多晶硅有源層(30)中部的上方形成光阻圖案(98)，以所述光阻圖案(98)為遮蔽層，對(duì)所述金屬層進(jìn)行第一次蝕刻形成準(zhǔn)柵極(51)，以所述準(zhǔn)柵極(51)為遮蔽層，對(duì)所述多晶硅有源層(30)兩端沒(méi)有被準(zhǔn)柵極(51)遮蓋的部分進(jìn)行N型離子重?fù)诫s，形成多晶硅有源層(30)兩端的源漏極接觸區(qū)(31)；

步驟S13、對(duì)所述金屬層進(jìn)行第二次蝕刻，使所述準(zhǔn)柵極(51)兩側(cè)被橫向蝕刻而寬度減小，形成柵極(50)，剝離去除所述光阻圖案(98)，以所述柵極(50)為遮蔽層，對(duì)所述多晶硅有源層(30)兩端沒(méi)有被柵極(50)遮蓋的部分進(jìn)行N型離子輕摻雜，得到多晶硅有源層(30)中部的對(duì)應(yīng)位于所述柵極(50)下方的溝道區(qū)(32)以及所述源漏極接觸區(qū)(31)和溝道區(qū)(32)之間的LDD區(qū)(33)；

步驟S14、在所述柵極絕緣層(40)上形成覆蓋所述柵極(50)的層間絕緣層(60)。