[發(fā)明專利]芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810355876.6
• 申請(qǐng)日: 2018-04-19
• 公開（公告）號(hào): CN108598046B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱原;陳傳興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州通富超威半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

一種芯片的封裝方法及其封裝結(jié)構(gòu)，其中封裝方法包括：提供載板，所述載板表面具有貼裝膜，所述貼裝膜表面貼裝有第一芯片，所述第一芯片包括相對(duì)的第一面和第二面，所述第二面與貼裝膜的表面貼合；提供若干個(gè)第二芯片，所述第二芯片包括第三面，所述第二芯片包括第一區(qū)；使第三面朝向第一面貼裝第二芯片，所述第二芯片的第一區(qū)與部分第一芯片重疊，且所述第一面與第一區(qū)第三面之間具有凸點(diǎn)；貼裝所述第二芯片之后，熔融所述凸點(diǎn)，使第二芯片與第一芯片電連接。所述方法形成的封裝結(jié)構(gòu)性能較好。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路封裝的密度不斷增大、芯片的尺寸不斷減小，I/O端子數(shù)不斷增加，而在有效尺寸的芯片上要求的功能卻越來越多，同時(shí)為了避免高密度下二維封裝所帶來的問題，可考慮在Z方向上進(jìn)行3D封裝。采用3D封裝技術(shù)可增大封裝密度、提高產(chǎn)品性能、降低功耗，減小噪聲，實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備的多功能化和小型化。

然而，現(xiàn)有3D封裝工藝形成的封裝結(jié)構(gòu)的性能較差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，以提高封裝結(jié)構(gòu)的性能。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種芯片的封裝方法，包括：提供載板，所述載板表面具有貼裝膜，所述貼裝膜表面貼裝有第一芯片，所述第一芯片包括相對(duì)的第一面和第二面，所述第二面與貼裝膜的表面貼合；提供若干個(gè)第二芯片，所述第二芯片包括第三面，所述第二芯片包括第一區(qū)；使第三面朝向第一面貼裝第二芯片，所述第二芯片的第一區(qū)與部分第一芯片重疊，且所述第一面與第一區(qū)第三面之間具有凸點(diǎn)；貼裝所述第二芯片之后，熔融所述凸點(diǎn)，使第二芯片與第一芯片電連接。

可選的，所述凸點(diǎn)僅位于部分第一面；或者，所述凸點(diǎn)僅位于第三面；或者所述第一面和第三面均具有凸點(diǎn)，且貼裝第二芯片之后，位于第一面的凸點(diǎn)與位于第一區(qū)第三面的凸點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)。

可選的，所述凸點(diǎn)的材料包括：銅、錫、錫銀合金、錫銀銅合金或者錫鉛合金。

可選的，所述凸點(diǎn)的高度為：10微米～300微米。

可選的，第一芯片的厚度為：20微米～900微米。

可選的，所述第二芯片還包括第二區(qū)，在所述第二區(qū)第三面還具有輸出柱。

可選的，所述第二芯片還包括與第三面相對(duì)的第四面；貼裝若干所述第二芯片之后，所述封裝方法還包括：對(duì)第一芯片和第二芯片進(jìn)行塑封處理，形成塑封膜；形成所述塑封膜之后，去除載版和貼裝膜，暴露出第一芯片第二面；暴露出第一芯片第二面之后，對(duì)所述塑封膜進(jìn)行減薄處理，直至暴露出第二芯片的第四面；暴露出第二芯片的第四面之后，在輸出柱頂部形成焊球。

可選的，當(dāng)電信號(hào)輸出柱的高度大于或者等于第一芯片的厚度與凸點(diǎn)的高度之和時(shí)，所述貼裝膜為彈性材料。

可選的，當(dāng)輸出柱的高度小于第一芯片的厚度與凸點(diǎn)的高度之和時(shí)，所述封裝方法還包括：在第二區(qū)第三面形成支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)的高度大于或者等于第一芯片的厚度和凸點(diǎn)的高度；所述貼裝膜為彈性材料或者非彈性材料。

可選的，所述支撐結(jié)構(gòu)包括支撐柱和位于支撐柱底部的補(bǔ)償層；在熔融凸點(diǎn)的過程中，所述補(bǔ)償層處于熔融狀態(tài)。

可選的，所述補(bǔ)償層的材料包括：錫、錫銀合金、錫銀銅合金或者錫鉛合金；所述補(bǔ)償層的形成工藝包括：濺射工藝、化學(xué)氣相沉積工藝或者物理氣相沉積工藝。

可選的，所述支撐柱沿平行于于第二芯片表面方向上的尺寸為30微米～1000微米。

可選的，在熔融凸點(diǎn)的過程中，所述支撐結(jié)構(gòu)處于熔融狀態(tài)；所述支撐結(jié)構(gòu)的材料包括：錫、錫銀合金、錫銀銅合金或者錫鉛合金。