[發明專利]芯片的封裝結構及其封裝方法

有效

• 申請號: 201810355876.6
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108598046B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 邱原;陳傳興
• 申請（專利權）人: 蘇州通富超威半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種芯片的封裝方法，其特征在于，包括：

提供載板，所述載板表面具有貼裝膜，所述貼裝膜表面貼裝有第一芯片，所述第一芯片包括相對的第一面和第二面，所述第二面與貼裝膜的表面貼合；

提供若干個第二芯片，所述第二芯片包括第三面，所述第二芯片包括第一區；

使第三面朝向第一面貼裝第二芯片，所述第二芯片的第一區與部分第一芯片重疊，且所述第一面與第一區第三面之間具有凸點；

貼裝所述第二芯片之后，熔融所述凸點，使第二芯片與第一芯片電連接；

所述第二芯片還包括第二區，所述第二區第三面還具有輸出柱；

當輸出柱的高度大于或者等于第一芯片的厚度與凸點的高度之和時，所述貼裝膜為彈性材料；

或者是當輸出柱的高度小于第一芯片的厚度與凸點的高度之和時，所述封裝方法還包括：在第二區第三面形成支撐結構，所述支撐結構的高度大于或者等于第一芯片的厚度和凸點的高度；所述貼裝膜為彈性材料或者非彈性材料。

2.如權利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，所述凸點僅位于部分第一面；或者，所述凸點僅位于第三面；或者所述第一面和第三面均具有凸點，且貼裝第二芯片之后，位于第一面的凸點與位于第一區第三面的凸點一一對應。

3.如權利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，所述凸點的材料包括：銅、錫、錫銀合金、錫銀銅合金或者錫鉛合金。

4.如權利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，所述凸點的高度為：10微米～300微米。

5.如權利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，第一芯片的厚度為：20微米～900微米。

6.如權利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，所述第二芯片還包括與第三面相對的第四面；貼裝若干所述第二芯片之后，所述封裝方法還包括：對第一芯片和第二芯片進行塑封處理，形成塑封膜；形成所述塑封膜之后，去除載板和貼裝膜，暴露出第一芯片第二面；暴露出第一芯片第二面之后，對所述塑封膜進行減薄處理，直至暴露出第二芯片的第四面；暴露出第二芯片的第四面之后，在輸出柱頂部形成焊球。

7.如權利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，所述支撐結構包括支撐柱和位于支撐柱底部的補償層；所述補償層在熔融凸點的過程中處于熔融狀態。

8.如權利要求7所述的芯片的封裝方法，其特征在于，所述補償層的材料包括：錫、錫銀合金、錫銀銅合金或者錫鉛合金；所述補償層的形成工藝包括：濺射工藝、化學氣相沉積工藝或者物理氣相沉積工藝。

9.如權利要求7所述的芯片的封裝方法，其特征在于，所述支撐柱沿平行于第二芯片表面方向上的尺寸為30微米～1000微米。

10.如權利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，在熔融凸點的過程中所述支撐結構處于熔融狀態；所述支撐結構的材料包括：錫、錫銀合金、錫銀銅合金或者錫鉛合金。

11.如權利要求1所述的芯片的封裝方法，其特征在于，同一個第一芯片上依次貼裝若干個第二芯片；同一個第一芯片上貼裝第二芯片的個數為2個～4個。

12.一種如權利要求1至權利要求11任一項方法所形成的芯片的封裝結構，其特征在于，包括：

載板，所述載板表面具有貼裝膜，所述貼裝膜表面貼裝有第一芯片，所述第一芯片包括相對的第一面和第二面，所述第二面與貼裝膜的表面貼合；

若干個第二芯片，所述第二芯片包括第三面，所述第二芯片包括第一區，所述第三面朝向第一面，且所述第一面與第一區第三面之間具有凸點。