[發(fā)明專利]一種降低多晶硅鑄錠位錯的高效籽晶層

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• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108486652A
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發(fā)明（設計）人: 張福軍;楊艷紅;孔令奇
• 申請（專利權）人: 常熟華融太陽能新型材料有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/06
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 汪旭東

本發(fā)明為一種降低多晶硅鑄錠位錯的高效籽晶層，包含以下兩層結構，底層為SiC層，所述SiC顆粒大小為20?200目，表層為Si顆粒層，所述Si顆粒大小為20?80目，所述SiC層顆粒均勻，雜質總量<10ppm，通過噴涂，涂覆等方式粘附在坩堝內底，所述的Si顆粒層顆粒均勻，雜質總量<10ppm，通過噴涂，涂覆等方式粘附在SiC層上，本發(fā)明的高效籽晶層，可有效降低由于坩堝導熱性差而引起的鑄錠位錯。

技術領域

本發(fā)明涉及坩堝涂層領域，具體涉及一種降低多晶硅鑄錠位錯的高效籽晶層。

背景技術

多晶硅鑄錠定向凝固的過程中，為便于形核，提高轉化效率，往往在石英坩堝內底鋪設石英砂，碎多晶或碳化硅等籽晶作為高效層，通過均質或異質形核的方式獲得晶花均勻細密的多晶鑄錠。高效層上需要涂覆氮化硅來避免鑄錠生長過程中和底部坩堝粘連而發(fā)生裂錠。由于注凝成型坩堝底部導熱性較差，常常導致鑄錠的位錯較高，甚至影響其轉化效率。

發(fā)明內容

本發(fā)明公開了一種降低多晶硅鑄錠位錯的高效籽晶層，包含以下兩層結構，底層為SiC層，所述SiC顆粒大小為20-200目，表層為Si顆粒層，所述Si顆粒大小為20-80目。

所述SiC層顆粒均勻，雜質總量&lt;10ppm，通過噴涂，涂覆等方式粘附在坩堝內底。

所述的Si顆粒層顆粒均勻，雜質總量&lt;10ppm，通過噴涂，涂覆等方式粘附在SiC層上。

本發(fā)明的高效籽晶層分兩層結構，底部的SiC層既可以有效改善坩堝底部導熱差的情況，減少熱量波動導致的鑄錠位錯，同時SiC高溫穩(wěn)定性好，可以有效避免單純采用Si顆粒引晶時粘鍋裂錠的問題，上層的Si顆粒層作為同質形核層可以確保晶花均勻細密，兩層的協(xié)調配合可明顯減少鑄錠中的位錯。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結構示意圖。

具體實施方式

一種降低多晶硅鑄錠位錯的高效籽晶層，底層為SiC層，所述SiC顆粒大小為20-200目，表層為Si顆粒層，所述Si顆粒大小為20-80目。SiC層顆粒均勻，雜質總量&lt;10ppm，通過噴涂，涂覆等方式粘附在坩堝內底。Si顆粒層顆粒均勻，雜質總量&lt;10ppm，通過噴涂，涂覆等方式粘附在SiC層上。