[發明專利]一種降低多晶硅鑄錠位錯的高效籽晶層在審
| 申請號： | 201810355666.7 | 申請日： | 2018-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN108486652A | 公開（公告）日： | 2018-09-04 |
| 發明（設計）人： | 張福軍;楊艷紅;孔令奇 | 申請（專利權）人： | 常熟華融太陽能新型材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 汪旭東 |
| 地址： | 215500 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 籽晶層 位錯 多晶硅鑄錠 雜質總量 噴涂 涂覆 粘附 坩堝 導熱性 顆粒層顆粒 兩層結構 顆粒層 鑄錠 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低多晶硅鑄錠位錯的高效籽晶層，其特征在于：包含以下兩層結構，底層為SiC層（1），所述SiC顆粒大小為20-200目，表層為Si顆粒層（2），所述Si顆粒大小為20-80目。
2.根據權利要求1所述的一種降低多晶硅鑄錠位錯的高效籽晶層，其特征在于所述SiC層顆粒均勻，雜質總量<10ppm，通過噴涂，涂覆等方式粘附在坩堝內底。
3.根據權利要求1所述的所述的一種降低多晶硅鑄錠位錯的高效籽晶層，其特征在于所述的Si顆粒層顆粒均勻，雜質總量<10ppm，通過噴涂，涂覆等方式粘附在SiC層上。
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