[發明專利]插接端子及電子設備、插接引腳的加工工藝

在審

• 申請號: 201810355211.5
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108418017A
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發明（設計）人: 徐宏濤;王作奇;郭建廣
• 申請（專利權）人: 北京小米移動軟件有限公司
• 主分類號: H01R13/03
• 分類號: H01R13/03;H01R43/16
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

本公開是關于一種插接端子及電子設備、插接引腳的加工工藝，其中插接端子包括插接引腳，所述插接引腳包括基材、位于所述基材上的金屬復合鍍膜、位于所述金屬復合鍍膜上遠離所述基材一側的銠鈀鍍膜。本公開中插接引腳的表面形成由金屬復合鍍膜和銠鈀鍍膜組成的抗腐蝕層，銠鈀鍍膜的抗腐蝕能力和耐老化能力優于傳統的銠釕鍍膜，有利于延長使用周期，延緩插接引腳上抗腐蝕層的老化速度，可以降低電鍍成本。

技術領域

本公開涉及終端技術領域，尤其涉及一種插接端子及電子設備、插接引腳的加工工藝。

背景技術

當前，電子設備上通常都會設置一個或者多個功能接口，例如，充電接口、耳機接口或者傳輸接口等，每一接口可以通過數據線與外部設備之間實現連連接，從而進一步實現電子設備的對應功能。

發明內容

本公開提供一種插接端子及電子設備、插接引腳的加工工藝，以解決相關技術中的不足。

根據本公開實施例的第一方面，提供一種插接端子，包括插接引腳，所述插接引腳包括基材、位于所述基材上的金屬復合鍍膜、位于所述金屬復合鍍膜上遠離所述基材一側的銠鈀鍍膜。

可選的，所述基材包括導電部、焊接部和連接所述導電部與所述焊接部的過渡部；其中，所述銠鈀鍍膜包裹所述金屬復合鍍膜上對應于所述導電部和所述過渡部設置的區域。

可選的，所述金屬復合鍍膜包括包裹所述基材的填平層、遠離所述基材的結合層和位于所述結合層與所述填平層之間的密封層；其中，所述結合層的一部分與所述銠鈀鍍膜接觸。

可選的，所述基材包括導電部，所述導電部包括靠近所述插接端子插接表面的導電面；其中，所述密封層上對應于所述導電面設置的區域厚度大于所述密封層上其他區域的厚度。

可選的，所述基材包括導電部、焊接部和連接所述導電部與所述焊接部的過渡部，所述金屬復合鍍膜還包括位于所述填平層上的打底層；

其中，所述打底層上對應于所述導電部及所述過渡部設置的區域與所述密封層接觸，所述打底層上對應于所述焊接部設置的區域與所述結合層接觸。

可選的，所述填平層包括金屬鎳材料。

可選的，所述密封層包括鈀鎳混合物。

可選的，所述結合層包括金屬金材料。

可選的，所述打底層包括金屬鎳材料。

可選的，所述插接端子包括type-c端子或者Micro USB端子。

根據本公開實施例的第二方面，提供一種電子設備，包括如上述任一項實施例所述的插接端子。

根據本公開實施例的第二方面，提供一種插接引腳的加工工藝，包括：

成型基材；

在所述基材上電鍍金屬復合鍍膜；

在所述金屬復合鍍膜上遠離所述基材的一側電鍍銠鈀鍍膜。

可選的，所述基材包括導電部、焊接部和連接所述導電部與所述焊接部的過渡部，所述在所述基材上電鍍金屬復合鍍膜，包括：

在所述基材的表面浸鍍形成填平層；

在所述填平層上對應于所述導電部和所述過渡部設置的區域浸鍍形成密封層；

在所述密封層上對應于所述導電部和所述過渡部設置的區域、所述填平層上對應于所述焊接部設置的區域浸鍍形成結合層。

可選的，還包括：

在所述填平層上浸鍍形成打底層；