[發(fā)明專利]插接端子及電子設(shè)備、插接引腳的加工工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810355211.5 | 申請(qǐng)日： | 2018-04-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108418017A | 公開（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐宏濤;王作奇;郭建廣 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京小米移動(dòng)軟件有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01R13/03 | 分類號(hào)： | H01R13/03;H01R43/16 |
| 代理公司： | 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 100085 北京市海淀區(qū)清河*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鍍膜 接引 插接端子 金屬復(fù)合 基材 銠鈀 電子設(shè)備 抗腐蝕層 表面形成 老化能力 使用周期 傳統(tǒng)的 抗腐蝕 電鍍 延緩 老化 | ||
1.一種插接端子，其特征在于，包括插接引腳，所述插接引腳包括基材、位于所述基材上的金屬復(fù)合鍍膜、位于所述金屬復(fù)合鍍膜上遠(yuǎn)離所述基材一側(cè)的銠鈀鍍膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插接端子，其特征在于，所述基材包括導(dǎo)電部、焊接部和連接所述導(dǎo)電部與所述焊接部的過渡部；其中，所述銠鈀鍍膜包裹所述金屬復(fù)合鍍膜上對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電部和所述過渡部設(shè)置的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插接端子，其特征在于，所述金屬復(fù)合鍍膜包括包裹所述基材的填平層、遠(yuǎn)離所述基材的結(jié)合層和位于所述結(jié)合層與所述填平層之間的密封層；其中，所述結(jié)合層的一部分與所述銠鈀鍍膜接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述基材包括導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部包括靠近所述插接端子插接表面的導(dǎo)電面；其中，所述密封層上對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電面設(shè)置的區(qū)域厚度大于所述密封層上其他區(qū)域的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述基材包括導(dǎo)電部、焊接部和連接所述導(dǎo)電部與所述焊接部的過渡部，所述金屬復(fù)合鍍膜還包括位于所述填平層上的打底層；
其中，所述打底層上對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電部及所述過渡部設(shè)置的區(qū)域與所述密封層接觸，所述打底層上對(duì)應(yīng)于所述焊接部設(shè)置的區(qū)域與所述結(jié)合層接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述填平層包括金屬鎳材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述密封層包括鈀鎳混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的插接端子，其特征在于，所述結(jié)合層包括金屬金材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的插接端子，其特征在于，所述打底層包括金屬鎳材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插接端子，其特征在于，所述插接端子包括type-c端子或者M(jìn)icro USB端子。
11.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的插接端子。
12.一種插接引腳的加工工藝，其特征在于，包括：
成型基材；
在所述基材上電鍍金屬復(fù)合鍍膜；
在所述金屬復(fù)合鍍膜上遠(yuǎn)離所述基材的一側(cè)電鍍銠鈀鍍膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的加工工藝，其特征在于，所述基材包括導(dǎo)電部、焊接部和連接所述導(dǎo)電部與所述焊接部的過渡部，所述在所述基材上電鍍金屬復(fù)合鍍膜，包括：
在所述基材的表面浸鍍形成填平層；
在所述填平層上對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電部和所述過渡部設(shè)置的區(qū)域浸鍍形成密封層；
在所述密封層上對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電部和所述過渡部設(shè)置的區(qū)域、所述填平層上對(duì)應(yīng)于所述焊接部設(shè)置的區(qū)域浸鍍形成結(jié)合層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的加工工藝，其特征在于，還包括：
在所述填平層上浸鍍形成打底層；
其中，所述打底層上對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電部及所述過渡部設(shè)置的區(qū)域與所述密封層接觸，所述打底層上對(duì)應(yīng)于所述焊接部設(shè)置的區(qū)域與所述結(jié)合層接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的加工工藝，其特征在于，所述導(dǎo)電部包括靠近所述插接端子插接表面的導(dǎo)電面，所述在所述填平層上對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電部和所述過渡部設(shè)置的區(qū)域浸鍍密封層，包括：
采用刷鍍工藝加厚所述密封層上對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電面設(shè)置的區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的加工工藝，其特征在于，所述基材包括導(dǎo)電部、焊接部和連接所述導(dǎo)電部和所述焊接部的過渡部，所述在所述金屬復(fù)合鍍膜上遠(yuǎn)離所述基材的一側(cè)電鍍銠鈀鍍膜，包括：
在所述金屬復(fù)合鍍膜上對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電部和所述過渡部的區(qū)域浸鍍形成所述銠鈀鍍膜。
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