[發明專利]一種掩膜版及其制造方法

有效

• 申請號: 201810354999.8
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108611592B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 劉孟彬;羅海龍
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;翟海青

1.一種掩膜版，其特征在于，包括：

襯底，具有相背的第一表面和第二表面，所述襯底內具有貫穿所述襯底的多個開口，所述襯底的材料為能夠進行半導體刻蝕工藝的材料；

位于所述第一表面的掩膜圖形層，所述掩膜圖形層的材料為能夠進行半導體刻蝕工藝的材料；

所述掩膜圖形層具有圖形區和遮擋區，每一所述圖形區具有至少一個通孔，所述開口暴露出所述圖形區，每一所述開口與一所述圖形區相對且暴露出圖形區中的所有通孔，所述遮擋區位于所述圖形區的外側、與所述襯底相對；

頂層襯底層，位于所述掩膜圖形層與所述第一表面相背的表面上，其中，所述頂層襯底層中具有貫穿所述頂層襯底層的多個凹槽，所述凹槽露出所述圖形區，每一所述凹槽與一所述圖形區相對且暴露出圖形區中的所有所述通孔；其中，所述襯底為SOI的底層硅，所述頂層襯底層為SOI的頂層硅，所述掩膜圖形層為SOI的埋層；

位于所述通孔的表面的支撐層；

所述掩膜版用于OLED器件中有機發光層的蒸鍍工藝。

2.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，還包括：第一支撐層，覆蓋所述頂層襯底層、所述凹槽的表面。

3.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，第二支撐層，至少覆蓋所述開口的表面、所述襯底的第二表面。

4.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，還包括：第三支撐層，第三支撐層至少覆蓋所述掩膜圖形層與所述第一表面相鄰的表面，和/或，還包括第四支撐層，所述第四支撐層至少覆蓋所述掩膜圖形層與所述第一表面相背的表面。

5.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，還包括：保護層，位于所述掩膜版的最頂層，具有貫穿所述保護層的多個溝槽，所述溝槽露出所述凹槽，每一所述溝槽與一所述凹槽相對。

6.如權利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第二支撐層的材料包括金屬材料或者絕緣材料，其中，所述金屬材料包括Ni、Ag、Au、Cu、Pt、Cr、Mo、Ti、Ta、Sn、W和Al中的至少一種金屬；所述絕緣材料包括氮化硅。

7.如權利要求2或3或4所述的掩膜版，其特征在于，位于所述通孔側壁上的支撐層的厚度小于所述通孔的半徑。

8.一種掩膜版的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，具有相背的第一表面和第二表面，在所述襯底的所述第一表面上依次形成有掩膜層以及頂層襯底層；

利用半導體刻蝕工藝刻蝕所述頂層襯底層，以形成貫穿所述頂層襯底層的多個凹槽，所述凹槽露出預定形成的圖形區；

根據預定的圖形，利用半導體刻蝕工藝刻蝕所述掩膜層，形成掩膜圖形層，所述掩膜圖形層具有圖形區和遮擋區，每一所述圖形區具有至少一個通孔，所述遮擋區位于所述圖形區的外側；其中，所述襯底為SOI的底層硅，所述頂層襯底層為SOI的頂層硅，所述掩膜圖形層為SOI的埋層，每一所述凹槽與一所述圖形區相對且暴露出圖形區中的所有所述通孔；

形成覆蓋所述通孔側壁的支撐層；

利用半導體刻蝕工藝刻蝕所述襯底，以形成貫穿所述襯底的多個開口，其中，所述開口暴露出所述圖形區，每一所述開口與一所述圖形區相對且暴露出圖形區中的所有所述通孔；

利用所制造的掩膜版進行OLED器件中有機發光層的蒸鍍工藝。

9.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，還包括：形成第一支撐層，所述第一支撐層覆蓋所述頂層襯底層的頂面、所述凹槽的表面；

和/或，

形成第二支撐層，所述第二支撐層覆蓋所述襯底的第二表面、所述開口的表面。

10.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，利用沉積工藝或鍵合工藝，在所述襯底的第一表面上依次形成所述掩膜層、所述頂層襯底層。