[發(fā)明專利]一種掩膜版及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810354999.8
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108611592B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉孟彬;羅海龍
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;翟海青

本發(fā)明提供一種掩膜版及其制造方法，包括：襯底，具有相背的第一表面和第二表面，襯底內(nèi)具有貫穿襯底的多個開口，襯底的材料為能夠進行半導(dǎo)體刻蝕工藝的材料；位于第一表面的掩膜圖形層，掩膜圖形層的材料為能夠進行半導(dǎo)體刻蝕工藝的材料；掩膜圖形層具有圖形區(qū)和遮擋區(qū)，圖形區(qū)具有至少一個通孔，開口暴露出所述圖形區(qū)，每一開口與一圖形區(qū)相對且暴露出圖形區(qū)中的所有通孔，遮擋區(qū)位于圖形區(qū)的外側(cè)、與襯底相對；頂層襯底層，位于掩膜圖形層與第一表面相背的表面上，其中，頂層襯底層中具有貫穿頂層襯底層的多個凹槽，凹槽露出圖形區(qū)，每一凹槽與一圖形區(qū)相對且暴露出圖形區(qū)中的所有通孔。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種掩膜版及其制造方法。

背景技術(shù)

有機發(fā)光顯示器(Organic Light-Emitting Dide，簡稱OLED)與目前的液晶顯示器顯示技術(shù)相比，具有可視角大，色彩艷麗，功耗低等優(yōu)點，近幾年產(chǎn)業(yè)化速度突飛猛進。

當(dāng)前OLED顯示器面板的制作過程中通常采用蒸鍍法形成有機發(fā)光層，而有機發(fā)光層的蒸鍍一般會使用到金屬掩模板。金屬掩模板的開口質(zhì)量、開口位置精度直接影響有機發(fā)光層的沉積質(zhì)量，進而影響后期產(chǎn)品質(zhì)量。目前OLED的金屬掩膜版加工工藝通常使用因瓦合金(INVAR，又稱殷鋼)通過化學(xué)刻蝕的方法來制備，首先在因瓦合金表面涂覆光刻膠或感光干膜，通過曝光的方式將掩膜版的精細(xì)圖案轉(zhuǎn)移在感光膜上，再通過顯影和化學(xué)刻蝕的方式最后制成精細(xì)金屬掩膜版，通過該方法其精度通常在微米級，因此做出的金屬掩模板的質(zhì)量和精準(zhǔn)度不能很好的滿足要求。

因此，有必要提出一種新的掩膜版及其制造方法，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術(shù)方案的保護范圍。

針對目前存在的問題，本發(fā)明一方面提供一種掩膜版，包括：

襯底，具有相背的第一表面和第二表面，所述襯底內(nèi)具有貫穿所述襯底的多個開口，所述襯底的材料為能夠進行半導(dǎo)體刻蝕工藝的材料；

位于所述第一表面的掩膜圖形層，所述掩膜圖形層的材料為能夠進行半導(dǎo)體刻蝕工藝的材料；

所述掩膜圖形層具有圖形區(qū)和遮擋區(qū)，每一所述圖形區(qū)具有至少一個通孔，所述開口暴露出所述圖形區(qū)，每一所述開口與一所述圖形區(qū)相對且暴露出圖形區(qū)中的所有通孔，所述遮擋區(qū)位于所述圖形區(qū)的外側(cè)、與所述襯底相對；

頂層襯底層，位于所述掩膜圖形層與所述第一表面相背的表面上，其中，所述頂層襯底層中具有貫穿所述頂層襯底層的多個凹槽，所述凹槽露出所述圖形區(qū)，每一所述凹槽與一所述圖形區(qū)相對且暴露出圖形區(qū)中的所有所述通孔。

示例性地，還包括：第一支撐層，覆蓋所述頂層襯底層、所述凹槽的表面以及所述通孔的表面。

示例性地，第二支撐層，至少覆蓋所述開口的表面、所述襯底的第二表面以及所述通孔的表面。

示例性地，還包括：第三支撐層，第三支撐層至少覆蓋所述掩膜圖形層與所述第一表面相鄰的表面以及通孔的表面，和/或，還包括第四支撐層，所述第四支撐層至少覆蓋所述掩膜圖形層與所述第一表面相背的表面以及通孔的表面。

示例性地，還包括：保護層，位于所述掩膜版的最頂層，具有貫穿所述保護層的多個溝槽，所述溝槽露出所述凹槽，每一所述溝槽與一所述凹槽相對。

示例性地，所述襯底為SOI的底層硅，所述頂層襯底層為SOI的頂層硅，所述掩膜圖形層為SOI的埋層。