[發明專利]存儲器外圍電路的閾值調整層的形成方法和外圍電路結構

有效

• 申請號: 201810353239.5
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108511450B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 許文山;田武
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11526
• 分類號: H01L27/11526;H01L27/11573
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳

本發明涉及一種存儲器外圍電路的閾值調整層的形成方法和外圍電路結構，所述閾值調整層的形成方法包括：提供襯底，所述襯底包括外圍電路的高壓區域；在所述襯底表面形成圖形化掩膜層，所述圖形化掩膜層至少暴露部分所述高壓區域；以所述圖形化掩膜層為掩膜，對所述高壓區域進行閾值調整注入，在所述高壓區域內形成閾值調整層和/或在所述高壓區域表面形成高壓器件的柵介質層。僅在所述高壓區域形成閾值調整層，避免對其他區域器件性能造成影響。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種存儲器外圍電路的閾值調整層的形成方法和外圍電路結構。

背景技術

近年來，閃存(Flash Memory)存儲器的發展尤為迅速。閃存存儲器的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優點，因而在微機、自動化控制等多項領域得到了廣泛的應用。

在半導體工藝尤其是存儲器的形成工藝中，因為成本的考量，減少光罩的數量是非常重要的問題，需要盡量減少光罩的數量以及工藝步驟。

在閃存的形成工藝中，需要對閃存的外圍電路區域的高壓器件區域進行閾值調整注入，以調節形成的晶體管的閾值電壓。由于閾值調整注入的摻雜濃度不高，現有技術中，為了節約光罩，在對高壓器件區域進行閾值調整注入時，通常直接對整片晶圓進行閾值調整注入，并不額外采用定義高壓器件區域的光罩來形成掩膜層。但是這樣會導致所有的器件都會受到閾值調整注入的影響，從而對存儲器的性能造成一定的影響。

因此，如何在不增加光罩數量的同時，避免閾值調整注入對其他區域器件造成影響是亟待解決的問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種存儲器外圍電路的閾值調整層的形成方法和外圍電路結構，在不增加光罩數量的同時，避免閾值調整注入對其他區域器件造成影響。

為解決上述問題，本發明提供一種存儲器外圍電路的閾值調整層的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括外圍電路的高壓區域；所述襯底表面形成圖形化掩膜層，所述圖形化掩膜層至少暴露部分所述高壓區域；以所述圖形化掩膜層為掩膜，對所述高壓區域進行閾值調整注入，在所述高壓區域內形成閾值調整層和/或在所述高壓區域表面形成高壓器件的柵介質層。

可選的，以所述圖形化掩膜層為掩膜，對所述高壓區域進行閾值調整注入，在所述高壓區域內形成閾值調整層和在所述高壓區域表面形成高壓器件的柵介質層時，所述高壓器件的柵介質層在閾值調整層之后形成。

可選的，所述高壓區域表面具有介質層；所述閾值調整層的形成方法還包括：在形成閾值調整層之后，去除所述介質層。

可選的，所述閾值調整注入采用的注入離子為硼，能量范圍為10KeV～80KeV，劑量范圍為5E11/cm²～1E13/cm²。

可選的，所述閾值調整層的深度范圍為摻雜濃度范圍為5E11/cm³～1E13/cm³。

可選的，所述高壓區域內形成有高壓P阱和高壓N阱。

為了解決上述問題，本發明的技術方案還提供一種存儲器外圍電路結構，包括：襯底，所述襯底包括外圍電路的高壓區域；閾值調整層，僅位于所述襯底的高壓區域，用于調整高壓區域器件的閾值電壓。

可選的，還包括：位于所述高壓區域表面的高壓器件的柵介質層。

可選的，所述閾值調整層的深度范圍為摻雜濃度范圍為5E11/cm³～1E13/cm³。

可選的，所述高壓區域內形成有高壓P阱和高壓N阱。