[發明專利]存儲器外圍電路的閾值調整層的形成方法和外圍電路結構有效
| 申請號： | 201810353239.5 | 申請日： | 2018-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN108511450B | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發明（設計）人： | 許文山;田武 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/11526 | 分類號： | H01L27/11526;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 外圍 電路 閾值 調整 形成 方法 結構 | ||
1.一種存儲器外圍電路的閾值調整層的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底包括外圍電路的高壓區域；
在所述襯底表面形成圖形化掩膜層，所述圖形化掩膜層至少暴露部分所述高壓區域；
以所述圖形化掩膜層為掩膜，對所述高壓區域進行閾值調整注入，在所述高壓區域內形成閾值調整層，以所述圖形化的掩膜層為掩膜在所述高壓區域表面形成高壓器件的柵介質層，所述高壓器件的柵介質層在閾值調整層之后形成。
2.根據權利要求1所述的存儲器外圍電路的閾值調整層的形成方法，其特征在于，所述高壓區域表面具有介質層；所述閾值調整層的形成方法還包括：在形成閾值調整層之后，去除所述介質層。
3.根據權利要求1所述的存儲器外圍電路的閾值調整層的形成方法，其特征在于，所述閾值調整注入采用的注入離子為硼，能量范圍為10KeV～80KeV，劑量范圍為5E11/cm2～1E13/cm2。
4.根據權利要求1所述的存儲器外圍電路的閾值調整層的形成方法，其特征在于，所述閾值調整層的深度范圍為摻雜濃度范圍為5E11/cm3～1E13/cm3。
5.根據權利要求1所述的存儲器外圍電路的閾值調整層的形成方法，其特征在于，所述高壓區域內形成有高壓P阱和高壓N阱。
6.一種存儲器外圍電路結構，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底包括外圍電路的高壓區域；
閾值調整層，僅位于所述襯底的高壓區域，用于調整高壓區域器件的閾值電壓；位于所述高壓區域表面的高壓器件的柵介質層，且所述閾值調整層和柵介質層的形成采用同一圖形化的掩膜層。
7.根據權利要求6所述的存儲器外圍電路結構，其特征在于，所述閾值調整層的深度范圍為摻雜濃度范圍為5E11/cm3～1E13/cm3。
8.根據權利要求6所述的存儲器外圍電路結構，其特征在于，所述高壓區域內形成有高壓P阱和高壓N阱。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
