[發明專利]一種發光二極管的外延片及其制備方法

在審

• 申請號: 201810353183.3
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108511570A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 王志敏;黃麗鳳
• 申請（專利權）人: 如皋市大昌電子有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管的外延片，包括襯底(1)、緩沖層(2)、未摻雜氮化鎵層(3)、N型氮化鎵層(4)、多量子阱發光層(5)、空穴提供層(6)和P型氮化鎵層(7)，其特征在于：所述襯底(1)的頂部設置有緩沖層(2)，所述緩沖層(2)的頂部設置有未摻雜氮化鎵層(3)，所述未摻雜氮化鎵層(3)的頂部設置有N型氮化鎵層(4)，所述N型氮化鎵層(4)的頂部設置有多量子阱發光層(5)，所述多量子阱發光層(5)的頂部設置有空穴提供層(6)，所述空穴提供層(6)的頂部設置有P型氮化鎵層(7)。

2.一種發光二極管的外延片制備方法，包括如下步驟：步驟一，固定及切割；步驟二，退火；步驟三，倒角；步驟四，分檔檢測及分離；步驟五，研磨；步驟六，清洗；其特征在于：

其中在上述的步驟一中，將單晶硅棒固定在加工臺上，將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片，此過程中產生的硅粉采用水淋，產生廢水和硅渣；

其中在上述的步驟二中，雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃后，用紅外加熱至300℃～500℃，硅片表面和氧氣發生反應，使硅片表面形成二氧化硅保護層；

其中在上述的步驟三中，將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度，此過程中產生的硅粉采用水淋，再將產生廢水和硅渣進行收集；

其中在上述的步驟四中，通過紅外掃描檢測機對其進行分檔檢測，同時將產生的廢品，進行排出；

其中在上述的步驟五中，用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，修整單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格，再將此過程產生的廢磨片劑進行排除；

其中在上述的步驟六中，通過有機溶劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術去除硅片表面的有機雜質，將此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑進行收集和排除，再通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質和金屬離子。

3.根據權利要求1的一種發光二極管的外延片，其特征在于：所述襯底(1)為一種碳化硅材料。

4.根據權利要求1的一種發光二極管的外延片，其特征在于：所述空穴提供層(6)的厚度為50nm～150nm。

5.根據權利要求1的一種發光二極管的外延片，其特征在于：所述多量子阱發光層(5)設置有5個量子阱。

6.根據權利要求1的一種發光二極管的外延片，其特征在于：所述P型氮化鎵層(7)的生長溫度為750℃～1080℃。

7.根據權利要求2的一種發光二極管的外延片制備方法，其特征在于：所述步驟五中磨片后用NA：HAC：HF＝5:2:2的混酸腐蝕20秒。

8.根據權利要求2的一種發光二極管的外延片制備方法，其特征在于：所述步驟二中退火后降溫速度為5℃/s。