[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810353183.3
• 申請(qǐng)日: 2018-04-19
• 公開（公告）號(hào): CN108511570A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志敏;黃麗鳳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 如皋市大昌電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/00
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• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法，包括襯底、緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱發(fā)光層、空穴提供層和P型氮化鎵層，所述襯底的頂部設(shè)置有緩沖層，所述緩沖層的頂部設(shè)置有未摻雜氮化鎵層，所述未摻雜氮化鎵層的頂部設(shè)置有N型氮化鎵層，所述N型氮化鎵層的頂部設(shè)置有多量子阱發(fā)光層，所述多量子阱發(fā)光層的頂部設(shè)置有空穴提供層，所述空穴提供層的頂部設(shè)置有P型氮化鎵層，包括如下步驟：步驟一，固定及切割；步驟二，退火；步驟三，倒角；步驟四，分檔檢測(cè)及分離；步驟五，研磨；步驟六，清洗；該方法，有利于多次清洗，同時(shí)有利于提升腐蝕的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法。

背景技術(shù)

LED外延片是一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片，材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。近年來，下游應(yīng)用市場(chǎng)的繁榮帶動(dòng)我國LED產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，外延片市場(chǎng)也迎來發(fā)展良機(jī)。國內(nèi)LED外延片產(chǎn)能快速提升，技術(shù)水平不斷進(jìn)步，產(chǎn)品已開始進(jìn)入中高檔次。在芯片市場(chǎng)供貨偏緊和各地政策支持力度加大的背景下，2011 年我國LED外延片產(chǎn)能繼續(xù)擴(kuò)張。在區(qū)域分布上，我國LED外延片企業(yè)主要集中在閩三角地區(qū)、環(huán)渤海灣地區(qū)和珠三角地區(qū)。外延片是LED核心器件中的前端高技術(shù)產(chǎn)品，我國在這一領(lǐng)域的企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)目前仍處于“藍(lán)海”階段。國內(nèi)外延片市場(chǎng)的基本格局是外資企業(yè)產(chǎn)品技術(shù)占據(jù)主導(dǎo)，本土廠商逐步崛起。

但是一般的外延片制備技術(shù)中，只進(jìn)行一次清洗，不能夠更好的清除顆粒物質(zhì)和金屬離子，同時(shí)在研磨步驟后一般都是通過NA：HAC：HF＝10:4:1的混酸進(jìn)行腐蝕，去除損傷層則需4分鐘，大大降低了工作效率，針對(duì)這種缺陷，所以我們?cè)O(shè)計(jì)一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法，來解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種發(fā)光二極管的外延片，包括襯底、緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱發(fā)光層、空穴提供層和P型氮化鎵層，所述襯底的頂部設(shè)置有緩沖層，所述緩沖層的頂部設(shè)置有未摻雜氮化鎵層，所述未摻雜氮化鎵層的頂部設(shè)置有N型氮化鎵層，所述N型氮化鎵層的頂部設(shè)置有多量子阱發(fā)光層，所述多量子阱發(fā)光層的頂部設(shè)置有空穴提供層，所述空穴提供層的頂部設(shè)置有P型氮化鎵層。

一種發(fā)光二極管的外延片制備方法，包括如下步驟：步驟一，固定及切割；步驟二，退火；步驟三，倒角；步驟四，分檔檢測(cè)及分離；步驟五，研磨；步驟六，清洗；

其中在上述的步驟一中，將單晶硅棒固定在加工臺(tái)上，將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片，此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣；

其中在上述的步驟二中，雙工位熱氧化爐經(jīng)氮?dú)獯祾吆螅眉t外加熱至 300℃～500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng)，使硅片表面形成二氧化硅保護(hù)層；

其中在上述的步驟三中，將退火的硅片進(jìn)行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度，此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，再將產(chǎn)生廢水和硅渣進(jìn)行收集；

其中在上述的步驟四中，通過紅外掃描檢測(cè)機(jī)對(duì)其進(jìn)行分檔檢測(cè)，同時(shí)將產(chǎn)生的廢品，進(jìn)行排出；

其中在上述的步驟五中，用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，修整單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過程可以處理的規(guī)格，再將此過程產(chǎn)生的廢磨片劑進(jìn)行排除；

其中在上述的步驟六中，通過有機(jī)溶劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有機(jī)雜質(zhì)，將此工序產(chǎn)生有機(jī)廢氣和廢有機(jī)溶劑進(jìn)行收集和排除，再通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。