[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810353057.8 | 申請日： | 2018-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN108417692A | 公開（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王志敏;黃麗鳳 | 申請（專利權(quán)）人： | 如皋市大昌電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 226578 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絕緣層 導電基板 下電極 頂部安裝 緩沖層 襯底 發(fā)光二極管芯片 頂部設(shè)置 封裝支架 電極 套接 制備 多量子阱發(fā)光層 六方氮化硼層 三氧化二鋁層 氮化硅層 漏電 晶格層 擊穿 填充 芯片 | ||
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法，包括封裝支架、第一絕緣層、導電基板、襯底、緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱發(fā)光層、應(yīng)力釋反晶格層、P型氮化鎵層、第二絕緣層、上電極和下電極，所述封裝支架的頂部安裝有下電極，所述下電極的頂部安裝有導電基板，所述下電極的外側(cè)套接有第一絕緣層，所述第一絕緣層的頂部與導電基板的底部接觸，所述導電基板的頂部安裝有襯底，所述襯底的頂部設(shè)置有緩沖層，所述緩沖層的頂部設(shè)置有N型氮化鎵層，所述上電極的外側(cè)套接有第二絕緣層，所述第一絕緣層和第二絕緣層的內(nèi)部均填充有三氧化二鋁層、氮化硅層和六方氮化硼層，該芯片，有利于防止漏電擊穿設(shè)備。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法。
背景技術(shù)
二極管，(英語：Diode)，電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來當作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓)，反向時阻斷(稱為逆向偏壓)。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。
芯片是二極管的重要組成部分，但是一般的芯片上都沒有設(shè)置絕緣機構(gòu)，這樣會導致電極在工作時，產(chǎn)生漏電，從而使電流不穩(wěn)，通過絕緣機構(gòu)，有利于防止漏電擊壞設(shè)備，還有一般的芯片制備方法上，酸液的配比不同，影響其工作效率，針對這種缺陷，所以我們設(shè)計一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法，來解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
一種發(fā)光二極管芯片，包括封裝支架、第一絕緣層、導電基板、襯底、緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱發(fā)光層、應(yīng)力釋反晶格層、P型氮化鎵層、第二絕緣層、上電極和下電極，所述封裝支架的頂部安裝有下電極，所述下電極的頂部安裝有導電基板，所述下電極的外側(cè)套接有第一絕緣層，所述第一絕緣層的頂部與導電基板的底部接觸，所述導電基板的頂部安裝有襯底，所述襯底的頂部設(shè)置有緩沖層，所述緩沖層的頂部設(shè)置有N型氮化鎵層，所述N型氮化鎵層的頂部設(shè)置有多量子阱發(fā)光層，所述多量子阱發(fā)光層的頂部設(shè)置有應(yīng)力釋反晶格層，所述應(yīng)力釋反晶格層的頂部設(shè)置有P型氮化鎵層，所述P型氮化鎵層的頂部安裝有上電極，所述上電極的外側(cè)套接有第二絕緣層，且第二絕緣層的底部與P型氮化鎵層的頂部接觸，所述第一絕緣層和第二絕緣層的內(nèi)部均填充有三氧化二鋁層、氮化硅層和六方氮化硼層。
一種發(fā)光二極管芯片制備方法，包括如下步驟：步驟一，外延片生長；步驟二，去銦球及清洗；步驟三，蒸鍍；步驟四，黃光作業(yè)；步驟五，化學蝕刻；步驟六，熔合及研磨；步驟七，切割及測試；
其中在上述的步驟一中，通過MOCVD設(shè)備在真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產(chǎn)生的蒸汽，經(jīng)小孔準直后形成的分子或原子束，直接噴射到世道溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地長在基片上形成薄膜；
其中在上述的步驟二中，采用氧化銦錫腐蝕液，在33℃的條件下，腐蝕30min，外延片通過混合液進行清洗，清洗的液體溫度保持在60℃，清洗30s；
其中在上述的步驟三中，通過蒸鍍機或電子槍進行加熱工作，形成鍍膜；
其中在上述的步驟四中，通過烘烤和上光阻，再通過顯影機進行曝光和顯影，顯影液通過噴槍射到晶片表面，被光照區(qū)域光刻膠被顯影液除去，留下刻蝕區(qū)域，再利用氧氣加射頻氧化銦蝕刻區(qū)域轟擊干凈，防止留有殘膠；
其中在上述的步驟五中，利用酸性藥水，將發(fā)光區(qū)裸露的金屬層蝕刻掉；
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