[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810353057.8
• 申請(qǐng)日: 2018-04-19
• 公開（公告）號(hào): CN108417692A
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志敏;黃麗鳳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 如皋市大昌電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管芯片，包括封裝支架(1)、第一絕緣層(2)、導(dǎo)電基板(3)、襯底(4)、緩沖層(5)、N型氮化鎵層(6)、多量子阱發(fā)光層(7)、應(yīng)力釋反晶格層(8)、P型氮化鎵層(9)、第二絕緣層(10)、上電極(11)和下電極(12)，其特征在于：所述封裝支架(1)的頂部安裝有下電極(12)，所述下電極(12)的頂部安裝有導(dǎo)電基板(3)，所述下電極(12)的外側(cè)套接有第一絕緣層(2)，所述第一絕緣層(2)的頂部與導(dǎo)電基板(3)的底部接觸，所述導(dǎo)電基板(3)的頂部安裝有襯底(4)，所述襯底(4)的頂部設(shè)置有緩沖層(5)，所述緩沖層(5)的頂部設(shè)置有N型氮化鎵層(6)，所述N型氮化鎵層(6)的頂部設(shè)置有多量子阱發(fā)光層(7)，所述多量子阱發(fā)光層(7)的頂部設(shè)置有應(yīng)力釋反晶格層(8)，所述應(yīng)力釋反晶格層(8)的頂部設(shè)置有P型氮化鎵層(9)，所述P型氮化鎵層(9)的頂部安裝有上電極(11)，所述上電極(11)的外側(cè)套接有第二絕緣層(10)，且第二絕緣層(10)的底部與P型氮化鎵層(9)的頂部接觸，所述第一絕緣層(2)和第二絕緣層(10)的內(nèi)部均填充有三氧化二鋁層(13)、氮化硅層(14)和六方氮化硼層(15)。

2.一種發(fā)光二極管芯片制備方法，包括如下步驟：步驟一，外延片生長；步驟二，去銦球及清洗；步驟三，蒸鍍；步驟四，黃光作業(yè)；步驟五，化學(xué)蝕刻；步驟六，熔合及研磨；步驟七，切割及測(cè)試；其特征在于：

其中在上述的步驟一中，通過MOCVD設(shè)備在真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產(chǎn)生的蒸汽，經(jīng)小孔準(zhǔn)直后形成的分子或原子束，直接噴射到世道溫度的單晶基片上，同時(shí)控制分子束對(duì)襯底(4)掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地長在基片上形成薄膜；

其中在上述的步驟二中，采用氧化銦錫腐蝕液，在33℃的條件下，腐蝕30min，外延片通過混合液進(jìn)行清洗，清洗的液體溫度保持在60℃，清洗30s；

其中在上述的步驟三中，通過蒸鍍機(jī)或電子槍進(jìn)行加熱工作，形成鍍膜；

其中在上述的步驟四中，通過烘烤和上光阻，再通過顯影機(jī)進(jìn)行曝光和顯影，顯影液通過噴槍射到晶片表面，被光照區(qū)域光刻膠被顯影液除去，留下刻蝕區(qū)域，再利用氧氣加射頻氧化銦蝕刻區(qū)域轟擊干凈，防止留有殘膠；

其中在上述的步驟五中，利用酸性藥水，將發(fā)光區(qū)裸露的金屬層蝕刻掉；

其中在上述的步驟六中，利用熔合設(shè)備在500℃的條件下，將刻蝕好的晶片放入該項(xiàng)設(shè)備，時(shí)間為10min，使蒸鍍金屬層之間或蒸鍍金屬與磊晶片表層原子相互熔合，熔合后經(jīng)過減薄機(jī)進(jìn)行研磨；

其中在上述的步驟七中，采用冷凍裂片進(jìn)行切割，將切割好的晶片用去離子水貼到冷凍機(jī)的不銹鋼板上，30min后將藍(lán)膜取下，晶片就粘到不銹鋼板上，然后用去離子水將晶片沖到篩網(wǎng)里，用異丙醇脫水、烘干即可，再通過探針測(cè)試臺(tái)和顆粒度檢測(cè)儀進(jìn)行測(cè)試，成為合格的芯片本體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述封裝支架(1)通過導(dǎo)電銀膠與下電極(12)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述三氧化二鋁層(13)、氮化硅層(14)和六方氮化硼層(15)中材料的比例為1:1:1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述上電極(11)通過導(dǎo)電銀膠與P型氮化鎵層(9)連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求2的一種發(fā)光二極管芯片制備方法，其特征在于：所述步驟二的混合液比例為H₂SO₄：H₂O₂：H₂O＝5:1:1。