[發明專利]一種硅基OLED像素電路及其補償OLED電學特性變化的方法

有效

• 申請號: 201810351872.0
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108597444B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 李晨;賴良德;張彤;張曉陽
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208;G09G3/3233;G09G3/3266
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 張偉

本發明公開了一種硅基OLED像素電路及其補償OLED電學特性變化的方法，該硅基OLED像素電路由4個金屬?氧化物?半導體場效應管、1個存儲電容和1個有機發光二極管構成。該硅基OLED像素電路及其補償OLED電學特性變化的方法將有機發光二極管放在驅動管的漏極，并使驅動管工作在飽和區，使得驅動管的工作電流與驅動管的漏極電壓無關，從而消除了有機發光二極管老化所引起的電學特性變化對有機發光二極管工作電流的影響，改善了硅基OLED微顯示器亮度下降的問題，提高了微顯示器的顯示質量。

技術領域

本發明涉及微顯示技術領域，尤其涉及一種硅基OLED像素電路及其補償OLED電學特性變化的方法。

背景技術

硅基OLED（Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管）微顯示器是一種將主動發光型器件OLED制作單晶硅片上的微顯示技術。它具有尺寸小、自發光、功耗低、視角寬等優點，主要應用于近眼顯示和便攜可穿戴設備中，涉及娛樂、軍事、科研等各個領域中。

傳統的硅基OLED像素電路為2T1C（2-Transistor-1-Capacitor）像素驅動電路。請參閱圖1，該2T1C像素驅動電路由2個MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，金屬-氧化物-半導體場效應管）T₁、T₂和一個電容C_s構成，其中T₁是開關管、T₂是驅動管、C_s是存儲電容。在尋址階段，掃描線開啟開關管T₁，數據線對存儲電容C_s充電；在發光階段，掃描線關閉開關管T₁，存儲在存儲電容C_s的數據電壓維持著T₂導通，導通電流使OLED發光，導通電流的大小為I_OLED=k(V_gs-V_th)²，其中k是驅動管T₂的電流放大系數，V_gs是驅動管T₂的柵源電壓，V_th是驅動管T₂的閾值電壓。但是，由于OLED器件結構本身的原因，比如有機薄層的熱不穩定性、金屬陰極的不穩定性等，會引起OLED的老化，從而會導致OLED的電學特性的變化，即OLED驅動電壓和發光電流關系的變化。因為OLED位于驅動管的源級，其電壓和電流關系的變化，會引起驅動管V_gs的變化，從而會影響驅動管的工作電流，從而會導致微顯示器發光亮度的下降。

對于2T1C像素電路存在的上述問題，本發明提出了一種硅基OLED像素電路及其補償OLED電學特性的方法，可以消除OLED器件老化所引起的電學特性變化對OLED工作電流的影響，提高硅基OLED微顯示器的顯示效果。

發明內容

本發明的目的是在于提供一種硅基OLED像素電路及其補償OLED電學特性變化的方法，以解決現有硅基OLED像素電路中OLED器件老化所引起的OLED電學特性變化對OLED驅動電流的影響。

為了解決上述問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種硅基OLED像素電路，該硅基OLED像素電路包括第一金屬-氧化物-半導體場效應管、第二金屬-氧化物-半導體場效應管、第三金屬-氧化物-半導體場效應管、第四金屬-氧化物-半導體場效應管、存儲電容和有機發光二極管。