[發明專利]一種硅基OLED像素電路及其補償OLED電學特性變化的方法

有效

• 申請號: 201810351872.0
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108597444B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 李晨;賴良德;張彤;張曉陽
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208;G09G3/3233;G09G3/3266
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 張偉

1.一種硅基OLED像素電路，其特征在于，包括第一金屬-氧化物-半導體場效應管、第二金屬-氧化物-半導體場效應管、第三金屬-氧化物-半導體場效應管、第四金屬-氧化物-半導體場效應管、存儲電容和有機發光二極管；

其中，所述第一金屬-氧化物-半導體場效應管的柵極電性連接于第一節點，其源級接入數據信號，其漏極電性連接于第一節點，其襯底接入地信號；所述第二金屬-氧化物-半導體場效應管的柵極接入第一掃描信號，其源級電性連接于第一節點，其漏極接入電源正電壓，其襯底接入地信號；所述第三金屬-氧化物-半導體場效應管的柵極接入第二掃描信號，其源級電性連接于第一節點，其漏極電性連接于第二節點，其襯底接入地信號；所述第四金屬-氧化物-半導體場效應管的柵極電性連接于第二節點，其源級接入參考電壓，其漏極電性連接于第三節點，其襯底接入地信號；所述存儲電容的一端電性連接于第二節點，其另一端接入地信號；所述有機發光二極管的陽極接入電源正電壓，其陰極電性連接于第三節點。

2.根據權利要求1所述的硅基OLED像素電路，其特征在于，所述第一掃描信號、第二掃描信號均由外部時序控制器提供。

3.根據權利要求1所述的硅基OLED像素電路，其特征在于，所述電源正電壓、參考電壓、地信號均為直流電壓信號。

4.根據權利要求1所述的硅基OLED像素電路，其特征在于，所述第一金屬-氧化物-半導體場效應管、第二金屬-氧化物-半導體場效應管、第三金屬-氧化物-半導體場效應管、第四金屬-氧化物-半導體場效應管均為N型金屬-氧化物-半導體場效應管。

5.根據權利要求1所述的硅基OLED像素電路，其特征在于，所述第一金屬-氧化物-半導體場效應管、第二金屬-氧化物-半導體場效應管、第三金屬-氧化物-半導體場效應管是開關管，所述第四金屬-氧化物-半導體場效應管是驅動管。

6.根據權利要求1所述的硅基OLED像素電路，其特征在于，所述第一掃描信號、第二掃描信號相組合先后對應于一數據電壓準備階段、一閾值電壓補償階段、一數據電壓存儲階段、一發光階段。

7.根據權利要求7所述的硅基OLED像素電路，其特征在于，在所述數據電壓準備階段，所述第一掃描信號置為高電平，所述第二掃描信號置為低電平；

在所述閾值電壓補償階段，所述第一掃描信號置為低電平，所述第二掃描信號置為低電平；

在所述數據電壓儲存階段，所述第一掃描信號置為低電平，所述第二掃描信號置為高電平；

在所述發光階段，所述第一掃描信號置為低電平，所述第二掃描信號置為低電平。

8.一種補償OLED電學特性變化的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一如權利要求1-7任一項所述的硅基OLED像素電路；

步驟2、進入數據電壓準備階段，所述第一掃描信號置為高電平，所述第二掃描信號置為低電平；

步驟3、進入閾值電壓補償階段，所述第一掃描信號置為低電平，所述第二掃描信號置為低電平；

步驟4、進入數據電壓儲存階段，所述第一掃描信號置為低電平，所述第二掃描信號置為高電平；

步驟5、進入發光階段，所述第一掃描信號置為低電平，所述第二掃描信號置為低電平。