[發明專利]一種透明線路板的制備方法及其制品

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• 申請號: 201810349950.3
• 申請日: 2018-04-18
• 公開（公告）號: CN108449867A
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 謝令聰
• 申請（專利權）人: 深圳市鑫世佳電子科技有限公司
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03;H05K3/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種透明線路板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在透明絕緣薄膜上表面濺射一上銅箔層；

(2)在透明絕緣薄膜下表面濺射一下銅箔層；

(3)再經過貼膜、曝光、顯影、蝕刻、退膜工序，在上銅箔層與下銅箔層上形成線路層；

(4)在線路層上化學沉積上錫層，獲得透明線路板。

2.根據權利要求1所述的透明線路板的制備方法，其特征在于，在進行所述步驟(1)之前，先在透明絕緣薄膜上鉆孔。

3.根據權利要求1所述的透明線路板的制備方法，其特征在于，在進行所述步驟(3)之前，由上銅箔層上表面向下鉆孔，并貫穿至下銅箔層下表面，然后在孔內鍍銅。

4.根據權利要求1所述的透明線路板的制備方法，其特征在于，在所述步驟(1)與步驟(2)中，所述濺射方法為采用PVD真空鍍膜沉積方法，具體包括以下步驟：

(1.1)將透明絕緣薄膜用丙酮超聲清洗8-12min，之后用氮氣吹干，放入磁控濺射設備的真空室中，真空度為2×10^-3-4×10^-3Pa；

(1.2)磁控濺射沉積銅膜之前，先通入2-4sccm氬氣，開啟ECR等離子體系統形成氬等離子體，氬等離子體對透明絕緣薄膜進行等離子體活化清洗8-12min；

(1.3)之后關閉ECR等離子體系統，在溫度為80-120℃，直流偏壓為45-55V，無脈沖偏壓的情況下，使用中頻磁控濺射靶在透明絕緣薄膜上下表面沉積上上銅箔層與下銅箔層。

5.根據權利要求1所述的透明線路板的制備方法，其特征在于，在所述步驟(3)中，貼膜步驟包括：

a、用丙醇或乙醇將干膜機上、下熱轆及行轆清洗干凈；

b、將干膜安裝干膜機上；

c、按操作程序依次開啟各按鍵；

d、將上、下熱轆調整至軸向平行，然后采用逐漸加大壓力的方式進行壓力調整，直到貼膜壓力達到5-6kg/cm²；待熱轆溫度升至90-110℃時，調整齊干膜，以0.4-2.0m/min的速度，按氣壓掣，完成貼膜。

6.根據權利要求5所述的透明線路板的制備方法，其特征在于，在所述步驟(3)中，曝光、顯影步驟包括：

a、將菲林準確對位于產品上；

b、打開真空框架蓋，曝光板須放置在離曝光框架四周至少5cm處，將對好菲林的產品放在曝光盤工作面上；合上真空框架蓋，真空開始啟動，真空框架上Mylayer膜抽真空要平展，趕氣后確認菲林與基材無移位，按“GO”鍵，真空框架同產品進入機器內，開始曝光；

c、曝光完成后，將菲林與曝光完畢的產品分離，已曝光的板放置至少15min后，進行顯影；

d、顯影藥液配置：向顯影缸內加入濃度為0.8-1.2％的Na₂CO₃溶液8kg，攪拌至少30min，PH值控制在10.2-11.5；

e、將曝光后的產品放到顯影藥液中，顯影段上噴咀與顯影段下噴咀的壓力分別控制在17-22psi，水洗段噴咀的壓力控制在20-30psi，在28-32℃的顯影溫度下，以3.5-4.5m/min的顯影速度，完成顯影。

7.根據權利要求6所述的透明線路板的制備方法，其特征在于，在所述步驟(3)中，蝕刻、退膜步驟包括：

a、將顯影后的產品放入由濃度為130-160G/L的氯化銅溶液、及濃度為2-3N的鹽酸溶液配置而成的蝕刻液中，加熱至45-55℃，以1.5-2kg/cm²的上壓力，1.3-1.8kg/cm²的下壓力，0.6-1.8m/min的速度，進行蝕刻；

b、蝕刻完成后，壓力水洗兩次；

c、將蝕刻后的產品放入由濃度為3-5％的NaOH溶液配置而成的退膜液中，加熱至45-55℃，以1.0-1.5kg/cm²的壓力，及0.6-1.8m/min的速度，進行膨松退膜。