[發(fā)明專利]一種氣相輸運法制備黑磷和摻雜黑磷單晶的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810349413.9 | 申請日: | 2018-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN109913942A | 公開(公告)日: | 2019-06-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉碧錄;劉明強 | 申請(專利權)人: | 清華-伯克利深圳學院籌備辦公室 |
| 主分類號: | C30B23/00 | 分類號: | C30B23/00;C30B29/02 |
| 代理公司: | 深圳大域知識產權代理有限公司 44479 | 代理人: | 何園園 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 黑磷 密封腔 摻雜 輸運 傳輸劑 單晶 單質 生長機理 系統(tǒng)研究 生長 抽真空 可控制 紅磷 錫粉 保溫 加熱 | ||
一種氣相輸運法制備黑磷和摻雜黑磷的方法,該方法包括:將紅磷、錫粉和傳輸劑混合置于密封腔的一端;對所述密封腔抽真空至10Pa以下;對所述密封腔加熱、保溫,然后分兩階段降溫使黑磷晶體自發(fā)生長在所述密封腔的另一端獲得黑磷晶體;其中,所述傳輸劑為SnI4、TeI4、SiI4、CoI2、BI3、SbI3、NH4I、BiI3、I2、PbI2、NaI、KI或LiI中的一種或數(shù)種。進一步還包括在所述密封腔中放置粉末狀的摻雜單質,所述摻雜單質為Sb、Se、Te、Bi、Si、Co、B或Mn中的至少一種。通過系統(tǒng)研究黑磷單晶的氣相輸運法生長,揭示其生長機理,實現(xiàn)了高質量的黑磷及摻雜黑磷的高效、高產量、可控制備。
技術領域
本發(fā)明涉及新材料合成方法,尤其涉及一種氣相輸運法制備黑磷和摻雜黑磷的方法。
背景技術
自二維黑磷被首次報道以來,由于具有其獨特的光電特性,因此已有眾多學者投入到對黑磷的研究中來,并取得了一系列的成果。黑磷具有隨層數(shù)可調的直接帶隙,高的載流子遷移率及開關比,各向異性的光電性質,良好的生物相容性與載藥能力,優(yōu)異的非線性光學性質,高的光熱轉換效率等。這些性質使得黑磷在光電子器件、超快光學、生物醫(yī)學、光伏器件等方面都有巨大的應用潛力。
要實現(xiàn)高性能黑磷光電器件的開發(fā)與應用,離不開高質量的黑磷的可控制備。早期制備塊體單晶黑磷的方法,存在著高成本,低產率,原料不環(huán)保,制備過程耗時等缺點,而且黑磷單晶的生長機理還未明晰。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種氣相輸運法制備黑磷和摻雜黑磷的方法。
為達上述目的,本發(fā)明采用的技術方案如下:
一種氣相輸運法制備黑磷和摻雜黑磷的方法,所述氣相輸運法制備黑磷和摻雜黑磷的方法包括:將紅磷、錫粉和傳輸劑混合置于密封腔的一端;對所述密封腔內抽真空至10Pa以下;對所述密封腔加熱、保溫,然后分兩階段降溫使黑磷晶體自發(fā)生長在所述密封腔的另一端獲得黑磷晶體;其中,所述傳輸劑為SnI4、TeI4、SiI4、CoI2、BI3、SbI3、NH4I、BiI3、I2、PbI2、NaI、KI或LiI中的一種或數(shù)種。
優(yōu)選地,所述對密封腔加熱、保溫包括將所述密封腔加熱至450~800℃,保溫時間為6~15小時;所述分兩階段降溫包括首先以0.1~6℃/分鐘將溫度降到480~510℃,然后以0.4~1.0℃/分鐘降溫到室溫。優(yōu)選地,對密封腔加熱的時間為6~15小時。
優(yōu)選地,所述紅磷、錫粉和傳輸劑的摩爾比為50:(4~1):(1~4)。例如,紅磷、錫粉和傳輸劑的摩爾比可以為50:4:1,50:3:1,50:2:1,50:3:2,50:1:1,50:2:3,50:1:2,50:1:3,50:1:4。
優(yōu)選地,在所述密封腔中還置有粉末狀的摻雜單質,所述摻雜單質為Sb、Se、Te、Bi、Si、Co、B或Mn中的至少一種。
優(yōu)選地,所述紅磷、錫粉、傳輸劑和摻雜單質的摩爾比為50:(4~1):(1~4):(1~3)。即:錫粉和紅磷的摩爾比為4:50~1:50,所述傳輸劑和紅磷的摩爾比為1:50~4:50,所述摻雜單質和紅磷的摩爾比為1:50~3:50。
優(yōu)選地,所述傳輸劑為TeI4、SiI4、CoI2、BI3或SbI3,所述錫粉和紅磷的摩爾比為4:50~1:50,所述傳輸劑和紅磷的摩爾比為4:50~7:50。
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