[發明專利]基板處理方法和基板處理裝置有效
| 申請號: | 201810348854.7 | 申請日: | 2018-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN108735626B | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發明(設計)人: | 日野出大輝 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
1.一種基板處理方法,向在表面露出有硅氧化膜和硅氮化膜的基板供給含有硅的磷酸水溶液,對所述硅氮化膜有選擇地進行蝕刻,其中,所述基板處理方法包括:
磷酸貯存工序,在磷酸容器中貯存向所述基板供給的所述磷酸水溶液;
磷酸引導工序,從所述磷酸容器向磷酸噴嘴引導所述磷酸水溶液;
磷酸噴出工序,從所述磷酸噴嘴向所述基板的表面噴出所述磷酸水溶液;
基板旋轉工序,與所述磷酸噴出工序并行,一邊將所述基板保持為水平一邊以通過所述基板的中央部的鉛垂的旋轉軸線為中心旋轉所述基板;
磷酸回收工序,由磷酸回收單元向所述磷酸容器回收從所述磷酸噴嘴供給到所述基板上的所述磷酸水溶液;
濃度檢測工序,檢測所述磷酸容器內的所述磷酸水溶液的硅濃度;
液量減少工序,當所述磷酸容器內的所述磷酸水溶液的硅濃度達到規定濃度范圍的上限值時,通過從所述磷酸容器排出所述磷酸水溶液和/或減少返回所述磷酸容器的所述磷酸水溶液的量,使所述磷酸容器內的所述磷酸水溶液的液量減少到規定液量范圍的下限值以下的值;
磷酸補充工序,當在所述液量減少工序中所述磷酸容器內的所述磷酸水溶液的液量減少到所述規定液量范圍的下限值以下的值時,通過從與所述磷酸回收單元不同的磷酸補充單元向所述磷酸容器補充磷酸水溶液,使所述磷酸容器內的所述磷酸水溶液的液量增加到所述規定液量范圍內的值,并且使所述磷酸容器內的所述磷酸水溶液的硅濃度降低到所述規定濃度范圍內的值,
所述磷酸回收工序包括噴出開始后回收工序,在所述噴出開始后回收工序中,不向所述磷酸容器回收在所述磷酸噴出工序中從所述磷酸噴嘴向所述基板最初噴出的所述磷酸水溶液,而向所述磷酸容器回收在所述磷酸噴出工序中之后從所述磷酸噴嘴向所述基板噴出的所述磷酸水溶液。
2.根據權利要求1所述的基板處理方法,其中,
所述磷酸補充工序包括濃度變更工序,在所述濃度變更工序中,變更從所述磷酸補充單元向所述磷酸容器補充的磷酸水溶液的硅濃度。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理方法,其中,
所述液量減少工序包括回收量減少工序,在所述回收量減少工序中,當所述磷酸容器內的所述磷酸水溶液的硅濃度達到所述規定濃度范圍的上限值時,使從所述基板返回到所述磷酸容器的所述磷酸水溶液的液量減少。
4.根據權利要求1或2所述的基板處理方法,其中,
所述磷酸貯存工序包括將所述磷酸水溶液與所述磷酸容器的石英制的接觸液體部進行接觸的工序。
5.根據權利要求1或2所述的基板處理方法,其中,
所述基板處理方法還包括磷酸加熱工序,在所述磷酸加熱工序中,在向所述磷酸噴嘴供給所述磷酸水溶液之前由加熱器對所述磷酸水溶液進行加熱;
所述磷酸加熱工序包括將所述磷酸水溶液與所述加熱器的石英制的接觸液體部進行接觸的工序。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社斯庫林集團,未經株式會社斯庫林集團許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810348854.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:基板處理系統及基板搬送方法
- 下一篇:用于半導體管芯封裝的數據結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





