[發(fā)明專利]一種存儲器的離子注入方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810347983.4
• 申請日: 2018-04-18
• 公開（公告）號: CN110391138A
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 熊濤;劉釗;許毅勝;舒清明
• 申請（專利權(quán)）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明公開了一種存儲器的離子注入方法。該方法包括：在襯底一側(cè)表面形成外圍器件的預(yù)備外圍多晶硅柵和存儲單元的存儲控制柵，其中，預(yù)備外圍多晶硅柵和存儲控制柵限定出存儲單元的源漏注入?yún)^(qū)；采用自對準工藝進行存儲單元的輕摻雜源漏離子注入；對預(yù)備外圍多晶硅柵進行刻蝕，在外圍器件的設(shè)定控制部區(qū)形成外圍多晶硅柵；進行外圍器件的輕摻雜源漏離子注入。本發(fā)明實施例利用預(yù)備外圍多晶硅柵和存儲控制柵限定出存儲單元的源漏注入?yún)^(qū)，采用自對準技術(shù)進行存儲單元的輕摻雜源漏離子注入，在離子注入前，無需用于保護外圍器件的掩膜版，簡化了存儲器的制備工藝流程，縮短了存儲器的制備周期，提高了存儲器的制備效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及閃存存儲器技術(shù)，尤其涉及一種存儲器的離子注入方法。

背景技術(shù)

對于傳統(tǒng)工藝制作的90/65nm節(jié)點及以下的NOR閃存存儲器，其編程原理是，通過對選中的存儲單元的漏端和控制柵極同時施加高電壓，使溝道導通，在橫向和縱向強電場的共同作用下，溝道中的載流子在漏端附近發(fā)生一定幾率的熱電子注入到浮柵，從而改變存儲單元的狀態(tài)。在讀取某選中的存儲單元的狀態(tài)時，同一根位線上所有其他非選中存儲單元的漏電都必須得到最佳的控制，否則可能會引起選中存儲單元的”0”狀態(tài)錯誤讀成”1”。

為解決此問題，在NOR閃存存儲器的控制柵刻蝕形成之后，還需要對存儲單元區(qū)域增加LDD(Lightly Doped Drain，輕摻雜源漏)離子注入工藝，通過離子注入來調(diào)整存儲器漏端的摻雜濃度和雜質(zhì)分布，以保證存儲區(qū)域良好的編程效果和漏電控制能力。

圖1是現(xiàn)有的存儲器的離子注入方法的流程圖，圖2是圖1中的步驟11對應(yīng)的存儲器的剖面圖，圖3是圖1中的步驟12對應(yīng)的存儲器的剖面圖，圖4是圖1中的步驟13對應(yīng)的存儲器的剖面圖，圖5是圖1中的步驟14對應(yīng)的存儲器的剖面圖，圖6是圖1中步驟15對應(yīng)的存儲器的剖面圖。如圖1-6所示，該存儲器的離子注入方法包括以下步驟：步驟11、在襯底100一側(cè)的表面形成外圍器件的預(yù)備外圍多晶硅柵和存儲單元區(qū)的存儲控制柵；步驟12、對外圍預(yù)備控制部進行刻蝕，在外圍器件的設(shè)定控制部區(qū)形成外圍多晶硅柵；步驟13、對外圍器件的輕摻雜源漏進行離子注入；步驟14、在外圍多晶硅柵涂布并圖案化光刻膠，以限定出存儲單元的源漏注入?yún)^(qū)；步驟15、對存儲單元的輕摻雜源漏進行離子注入。可見，在進行存儲單元區(qū)域的輕摻雜源漏離子注入時，為避免存儲單元的輕摻雜源漏離子注入對高壓驅(qū)動和低壓邏輯等外圍器件產(chǎn)生影響，需要在外圍區(qū)域增加一張額外的掩模版和相應(yīng)的光刻工藝，這將導致存儲器的生產(chǎn)成本增加，生成周期延長。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種存儲器的離子注入方法，以降低存儲器的生產(chǎn)成本和生長周期。該方法包括：

在襯底一側(cè)表面形成外圍器件的預(yù)備外圍多晶硅柵和存儲單元的存儲控制柵，其中，所述預(yù)備外圍多晶硅柵和所述存儲控制柵限定出所述存儲單元的源漏注入?yún)^(qū)；

采用自對準工藝進行所述存儲單元的輕摻雜源漏離子注入；

對所述預(yù)備外圍多晶硅柵進行刻蝕，在所述外圍器件的設(shè)定控制部區(qū)形成外圍多晶硅柵；

進行所述外圍器件的輕摻雜源漏離子注入。

進一步地，所述預(yù)備外圍多晶硅柵包括依次層疊的柵極絕緣層和外圍柵極層，所述存儲控制柵包括依次層疊的隧穿氧化層、浮柵層、層間絕緣層和控制柵層；

所述柵極絕緣層和所述隧穿氧化層在不同工藝中制備，所述外圍柵極層和所述控制柵層在同一工藝中制備。

進一步地，在襯底一側(cè)表面形成外圍器件的預(yù)備外圍多晶硅柵和存儲單元的存儲控制柵包括：

采用光刻、刻蝕工藝在襯底一側(cè)表面形成所述預(yù)備外圍多晶硅柵和所述存儲控制柵。

進一步地，采用自對準工藝進行所述存儲單元的輕摻雜源漏離子注入包括：