[發明專利]一種存儲器的離子注入方法

在審

• 申請號: 201810347983.4
• 申請日: 2018-04-18
• 公開（公告）號: CN110391138A
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 熊濤;劉釗;許毅勝;舒清明
• 申請（專利權）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種存儲器的離子注入方法，其特征在于，包括：

在襯底一側表面形成外圍器件的預備外圍多晶硅柵和存儲單元的存儲控制柵，其中，所述預備外圍多晶硅柵和所述存儲控制柵限定出所述存儲單元的源漏注入區；

采用自對準工藝進行所述存儲單元的輕摻雜源漏離子注入；

對所述預備外圍多晶硅柵進行刻蝕，在所述外圍器件的設定控制部區形成外圍多晶硅柵；

進行所述外圍器件的輕摻雜源漏離子注入。

2.根據權利要求1所述的存儲器的離子注入方法，其特征在于，所述預備外圍多晶硅柵包括依次層疊的柵極絕緣層和外圍柵極層，所述存儲控制柵包括依次層疊的隧穿氧化層、浮柵層、層間絕緣層和控制柵層；

所述柵極絕緣層和所述隧穿氧化層在不同工藝中制備，所述外圍柵極層和所述控制柵層在同一工藝中制備。

3.根據權利要求2所述的存儲器的離子注入方法，其特征在于，在襯底一側表面形成外圍器件的預備外圍多晶硅柵和存儲單元的存儲控制柵包括：

采用光刻、刻蝕工藝在襯底一側表面形成所述預備外圍多晶硅柵和所述存儲控制柵。

4.根據權利要求3所述的存儲器的離子注入方法，其特征在于，采用自對準工藝進行所述存儲單元的輕摻雜源漏離子注入包括：

以所述預備外圍多晶硅柵和所述存儲單元的控制柵層為掩膜，對暴露出的所述襯底進行離子注入；或者，

以采用第一光刻、刻蝕工藝形成所述存儲控制柵后的剩余光刻膠為掩膜，對暴露出的所述襯底進行離子注入。

5.根據權利要求2所述的存儲器的離子注入方法，其特征在于，對所述預備外圍多晶硅柵進行刻蝕，在所述外圍器件的設定控制部區形成外圍多晶硅柵包括：

采用光刻、刻蝕工藝在所述設定控制部區形成所述外圍器件的外圍柵極。

6.根據權利要求5所述的存儲器的離子注入方法，其特征在于，在采用光刻、刻蝕工藝在所述設定控制部區形成所述外圍器件的外圍柵極之后還包括：

對所述存儲器進行第一退火處理。

7.根據權利要求6所述的存儲器的離子注入方法，其特征在于，進行所述外圍器件的輕摻雜源漏離子注入包括：

形成第二光刻膠，其中，所述第二光刻膠覆蓋所述存儲單元，且所述第二光刻膠限定出所述外圍器件的源漏注入區；

以所述第二光刻膠為掩膜，對暴露出的所述襯底進行至少一次離子注入。

8.根據權利要求7所述的存儲器的離子注入方法，其特征在于，在每次離子注入之后還包括：

對所述存儲器進行第二退火處理。