[發明專利]包含金屬覆蓋的密封件、其制造方法及其使用方法有效
| 申請號: | 201810343907.6 | 申請日: | 2018-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN109578581B | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發明(設計)人: | 洪鵬程;蒲俊良;許文亮;高崇豪;洪家駿;吳正一;李錦思 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | F16J15/00 | 分類號: | F16J15/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包含 金屬 覆蓋 密封件 制造 方法 及其 使用方法 | ||
一種包含金屬覆蓋的密封件、其制造方法及其使用方法。密封件包括主體及設置于主體的至少一表面上的覆蓋層。主體包括聚合彈性體,例如全氟化彈性體或氟化彈性體。覆蓋層包括至少一金屬。密封件可以是密封口、墊圈、O型密封圈、T型密封圈或任何合適的產品。密封件對紫外光和電漿具有耐受性,且可以用于密封半導體制程室。
技術領域
本揭示是關于用于半導體制造的物件及設備。更特定而言,所揭示的標的是關于用于制程室的密封件、此密封件的制造方法及其使用方法。
背景技術
半導體的生產牽涉到在無塵室環境下,使用各種密封的制程室。例如化學氣相沉積及電漿沉積的制程需要使用真空室及類似的反應器,在其內使用腐蝕性的化學品、高能量電漿以及例如紫外光(UV)的輻射,以制作嚴峻環境。在制程室的內部和外部應避免任何污染,例如粒子,因為污染將影響到所制作出的半導體晶圓和裝置。
以聚合物材料所制作的彈性密封環被用于充分密封制程室。由于制程室中的嚴峻環境,所以這類的密封環是相當重要的。密封環將制程室維持在真空或一定的壓力下,確保這些化學品安全地位于制程室中,并預防制程室外的雜質進入制程室內。
發明內容
本揭示是提供一種密封件,此密封件包含主體及覆蓋層,主體包含聚合彈性體,而覆蓋層是設置于主體的至少一表面上,覆蓋層包含至少一金屬。
本揭示亦提供制造一種密封件的一種方法,此制造方法包含以下步驟:提供主體,主體包含聚合彈性體;形成覆蓋層于主體的至少一表面上,覆蓋層包含至少一金屬。
本揭示亦提供使用一種密封件的一種方法,此使用方法包含以下步驟:置入密封件于半導體制程室中,其中密封件包含主體及覆蓋層,主體包含聚合彈性體,而覆蓋層是設置于主體的至少一表面上,覆蓋層包含至少一金屬。
附圖說明
當結合附圖閱讀時,自以下詳細描述可以最佳地理解本揭示。要強調的是,根據產業中的一般實務,各個特征未按照比例繪制。事實上,為了清楚論述起見,各個特征的維度可以任意地增大或縮小。相似的參考標號在整個說明書和附圖中表示相似的特征。
圖1繪示了當用于密封制程室的密封件受到紫外光(UV)輻射的破壞時,具有粒子污染的半導體基板;
圖2是根據一些實施方式,繪示包含密封件的示例性制程室的橫截面圖;
圖3A至圖3E是根據一些實施方式,繪示示例性密封件;圖3A是俯視圖;圖3B是垂直于一延長方向的橫截面圖;圖3C是透視圖;圖3D是圖3C的密封件的一部分的透視圖;圖3E是沿著延長方向的圖3C的密封件的一部分的橫截面圖;
圖4A至圖4B是根據一些實施方式,繪示另一個示例性密封件;圖4A是俯視圖;圖4B是垂直于一延長方向的橫截面圖;
圖5是根據一些實施方式,繪示用于制造密封件的示例性方法的流程圖;
圖6A至圖6D是根據一些實施方式,繪示使用無電電鍍技術來制造密封件的示例性方法的橫截面圖;
圖7繪示在一些實施方式中,使用電鍍技術來制造密封件的一個示例性的方法;
圖8是根據一些實施方式,繪示使用密封件的示例性方法的流程圖。
具體實施方式
以下揭示提供許多不同實施方式或實施例,用于實現本揭示的不同特征。以下敘述部件或配置的具體實施例,以簡化本揭示。這些當然僅為實施例,并且不是意欲作為限制。舉例而言,在隨后的敘述中,第一特征在第二特征上方或在第二特征上的形成,可包括第一特征及第二特征形成為直接接觸的實施方式,亦可包括有另一特征可形成在第一特征及第二特征之間,以使得第一特征及第二特征可以是沒有直接接觸的實施方式。另外,本揭示在各實施例中可重復參考標號及/或字母。此重復是為了簡化及清楚的目的,且本身不指示所論述的各實施方式及/或配置之間的關系。
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