[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810343207.7
• 申請(qǐng)日: 2013-07-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108550671A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 全水根;樸恩鉉;金勈德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 世邁克琉明有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/10
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/10;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/50
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：在生長(zhǎng)襯底上順序生長(zhǎng)的多個(gè)半導(dǎo)體層，包括具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層、具有不同于所述第一導(dǎo)電性的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層、以及介于所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的經(jīng)由電子?空穴復(fù)合產(chǎn)生光的有源層；向所述第一半導(dǎo)體層提供電子和空穴中的一個(gè)的第一電極；向所述第二半導(dǎo)體層提供電子和空穴中的另一個(gè)的第二電極；形成在所述第二半導(dǎo)體層上，用于從所述有源層向在所述生長(zhǎng)襯底側(cè)的所述第一半導(dǎo)體層反射光的不導(dǎo)電反射膜；以及形成在所述多個(gè)半導(dǎo)體層與所述不導(dǎo)電反射膜之間，與所述第二半導(dǎo)體層電聯(lián)通，且分別具有與所述第二電極連接的電連接件的彼此隔開(kāi)的至少兩個(gè)第一分支電極。

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2013年7月18日，申請(qǐng)?zhí)枮?01380004181.9，發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體發(fā)光器件”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)(disclosure)總體上涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件，并且更具體地，涉及一種具有光反射面的半導(dǎo)體發(fā)光器件。

在本文的上下文，術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)體發(fā)光器件”指的是經(jīng)由電子-空穴復(fù)合來(lái)產(chǎn)生光的半導(dǎo)體光學(xué)器件，并且一個(gè)示例是III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件。III族氮化物半導(dǎo)體由含Al(_x)Ga(_y)In_(1-x-y)N(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的化合物組成。其另一個(gè)示例是用于紅光發(fā)射的GaAs基半導(dǎo)體發(fā)光器件。

背景技術(shù)

這部分提供與本公開(kāi)有關(guān)的背景信息，其不一定是現(xiàn)有技術(shù)(This sectionprovides background information related to the present disclosure which isnot necessarily prior art)。

圖1是例示在美國(guó)專利No.7,262,436中提出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示例。該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括：襯底100；在襯底100上生長(zhǎng)的n型半導(dǎo)體層300；在n型半導(dǎo)體層300上生長(zhǎng)的有源層400；在有源層400上生長(zhǎng)的p型半導(dǎo)體層500；形成在p型半導(dǎo)體層500上的電極901、902和903(同時(shí)充當(dāng)反射膜)；以及形成在已經(jīng)蝕刻并且露出的n型半導(dǎo)體層300上的n側(cè)結(jié)合墊800。n型半導(dǎo)體層300和p型半導(dǎo)體層500可具有相反的導(dǎo)電類(lèi)型。優(yōu)選地，在襯底100和n型半導(dǎo)體層300之間設(shè)置有緩沖層(未示出)。具有該結(jié)構(gòu)的芯片(即，所有的電極901、902和903以及n側(cè)結(jié)合墊800被形成在襯底100的相對(duì)側(cè)，電極901、902和903充當(dāng)反射膜)被稱為倒裝芯片(flip-chip)。電極901、902和903由如下各項(xiàng)組成：具有高反射率的電極901(例如，Ag)；用于結(jié)合的電極903(例如，Au)；以及用于防止電極901的材料和電極903的材料之間的擴(kuò)散的電極902(例如，Ni)。雖然該金屬反射膜結(jié)構(gòu)具有高反射率并且有利于電流擴(kuò)展，但是其具有金屬吸收光的缺點(diǎn)。

圖2是例示在日本特開(kāi)No.2006-120913中提出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示例的圖。該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括：襯底100；在襯底100上生長(zhǎng)的緩沖層；在緩沖層200上生長(zhǎng)的n型半導(dǎo)體層300；在n型半導(dǎo)體層300上生長(zhǎng)的有源層400；在有源層400上生長(zhǎng)的p型半導(dǎo)體層500；形成在p型半導(dǎo)體層500上的具有電流擴(kuò)展功能的透光導(dǎo)電膜600；形成在透光導(dǎo)電膜600上的p側(cè)結(jié)合墊700；以及形成在已經(jīng)蝕刻并且露出的n型半導(dǎo)體層300上的n側(cè)結(jié)合墊800。此外，在透光導(dǎo)電膜600上設(shè)置有DBR(Distributed Bragg Reflector，分布式布拉格反射器)900和金屬反射膜904。雖然該結(jié)構(gòu)減少金屬反射膜904的光吸收，但是其具有如下缺點(diǎn)：與使用電極901、902和903相比，電流擴(kuò)展相對(duì)差。