[發明專利]半導體發光器件

在審

• 申請號: 201810343207.7
• 申請日: 2013-07-18
• 公開（公告）號: CN108550671A
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 全水根;樸恩鉉;金勈德
• 申請（專利權）人: 世邁克琉明有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/50
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種半導體發光器件，該半導體發光器件包括：

在生長襯底上順序生長的多個半導體層，其中所述多個半導體層包括具有第一導電性的第一半導體層、具有不同于所述第一導電性的第二導電性的第二半導體層、以及介于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的經由電子-空穴復合產生光的有源層；

第一電極，所述第一電極向所述第一半導體層提供電子和空穴中的一個；

第二電極，所述第二電極向所述第二半導體層提供電子和空穴中的另一個；

不導電反射膜，所述不導電反射膜形成在所述第二半導體層上，用于從所述有源層向在所述生長襯底側的所述第一半導體層反射光；以及

彼此隔開的至少兩個第一分支電極，所述至少兩個第一分支電極形成在所述多個半導體層與所述不導電反射膜之間，與所述第二半導體層電聯通，且所述至少一個第一分支電極分別具有與所述第二電極連接的電連接件。

2.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，所述至少兩個第一分支電極沿著所述半導體發光器件的一側的方向延伸。

3.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，所述第一電極形成在所述不導電反射膜上。

4.根據權利要求3所述的半導體發光器件，其中，所述至少兩個第一分支電極在所述第一電極的下面延伸。

5.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，該半導體發光器件包括輔助散熱墊，所述輔助散熱墊形成在所述不導電反射膜上，與所述第一電極和所述第二電極中的至少一個隔離。

6.根據權利要求5所述的半導體發光器件，其中，所述輔助散熱墊位于所述至少兩個第一分支電極之間。

7.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，所述電連接件穿過所述不導電反射膜而將相應第一分支電極連接到所述第二電極。

8.根據權利要求3所述的半導體發光器件，其中，所述至少兩個第一分支電極沿著所述半導體發光器件的一側的方向延伸。

9.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中，該半導體發光器件包括透光導電膜，所述透光導電膜被形成在所述至少兩個分支電極和所述第二半導體層之間，用于使所述至少兩個分支電極與所述第二半導體層電連通。

10.根據權利要求9所述的半導體發光器件，其中，所述至少兩個分支電極分別包括在所述至少兩個分支電極的下面形成在所述透光導電膜和所述第二半導體層之間的光吸收屏障。