[發明專利]網狀復合結構薄膜及增韌合成方法有效

申請號：	201810342674.8	申請日：	2018-04-17
公開（公告）號：	CN108642460B	公開（公告）日：	2020-06-02
發明（設計）人：	沈燕	申請（專利權）人：	齊魯工業大學
主分類號：	H01L21/20	分類號：	H01L21/20;H01L21/36;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/30;C23C14/08
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摘要：
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【權利要求書】：

1.一種網狀ITO/SnO₂/Sn復合結構薄膜，其特征在于：

金屬Sn納米粒子經過表層氧化后，形成SnO₂/Sn復合粒子基體，復合基體粒子為基點生長ITO納米晶，納米晶無序交錯形成網狀ITO/SnO₂/Sn復合結構薄膜；

所述的網狀ITO/SnO₂/Sn復合結構薄膜的制備方法，包括如下步驟：

利用磁控濺射鍍金屬Sn厚度10～20nm薄層，120～150℃溫度空氣氛圍熱處理，金屬薄層團聚成金屬納米顆粒，且表面氧化出SnO₂薄層，獲得Sn/SnO₂復合顆粒結構；

金屬Sn柔軟易彎曲展性好物理性質，且ITO材料為Sn摻雜氧化銦，納米晶生長過程中易形成共熔劑；

將金屬Sn納米粒子修飾后的基底，置于電子束蒸發設備中，以SnO₂質量分數為5～10％的ITO靶材為蒸發源料，設置溫度280～350℃、壓力1×10^-4～1×10^-3m Torr 、功率600～800KW、速率以金屬復合粒子為基點氣液固模式生長ITO納米晶，納米晶連接成網狀ITO/SnO₂/Sn復合結構薄膜。

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