[發(fā)明專利]圖案化方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810342025.8
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN110391133B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊于臻;李甫哲;郭明峰;王程鈺;朱賢士;陳立強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種圖案化方法，其特征在于，包括：

在一基底上形成一硬掩模層；

在該硬掩模層上形成多個(gè)芯線；

在該多個(gè)芯線上形成多個(gè)掩模圖案，其中各該掩模圖案形成于該多個(gè)芯線中的一個(gè)上；

在該硬掩模層上形成多個(gè)間隙壁，其中各該間隙壁形成于該多個(gè)芯線中的一個(gè)的側(cè)壁上以及形成于該多個(gè)掩模圖案中的一個(gè)的側(cè)壁上；

形成一覆蓋層覆蓋該硬掩模層、該多個(gè)間隙壁以及該多個(gè)掩模圖案，其中該覆蓋層的材料與該多個(gè)芯線的材料相同；

進(jìn)行一平坦化制作工藝，用以移除該多個(gè)掩模圖案上以及該多個(gè)間隙壁上的覆蓋層并移除該多個(gè)掩模圖案，其中該覆蓋層的一部分于該平坦化制作工藝之后保留于該多個(gè)間隙壁之間；以及

在該平坦化制作工藝之后，移除該多個(gè)芯線以及該覆蓋層。

2.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中形成該多個(gè)間隙壁的步驟包括：

在該硬掩模層、該多個(gè)芯線以及該多個(gè)掩模圖案上共形地形成一間隙壁材料層，其中該多個(gè)芯線以及該多個(gè)掩模圖案被該間隙壁材料層覆蓋；以及

對該間隙壁材料層進(jìn)行一回蝕刻制作工藝，用以形成該多個(gè)間隙壁。

3.如權(quán)利要求2所述的圖案化方法，其中該硬掩模層的一部分被該回蝕刻制作工藝暴露出，且該硬掩模層未被該回蝕刻制作工藝蝕刻。

4.如權(quán)利要求2所述的圖案化方法，其中于該硬掩模層的厚度方向上與該多個(gè)掩模圖案重疊的該間隙壁材料層被該回蝕刻制作工藝移除。

5.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中于該平坦化制作工藝之前，該覆蓋層的上表面高于該多個(gè)間隙壁的上表面以及該多個(gè)掩模圖案的上表面。

6.如權(quán)利要求5所述的圖案化方法，其中該覆蓋層的該上表面、該多個(gè)間隙壁的該上表面以及該多個(gè)芯線的上表面于該平坦化制作工藝之后共平面。

7.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中該平坦化制作工藝包括一回蝕刻制作工藝。

8.如權(quán)利要求7所述的圖案化方法，其中各該間隙壁的一上部被該回蝕刻制作工藝移除，且該回蝕刻制作工藝對該覆蓋層的蝕刻率大體上等于該回蝕刻制作工藝對該多個(gè)間隙壁的蝕刻率。

9.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，還包括：

在移除該多個(gè)芯線以及該覆蓋層之后，將至少一部分的該多個(gè)間隙壁的圖案轉(zhuǎn)移至該硬掩模層。

10.如權(quán)利要求9所述的圖案化方法，其中該基底上定義有一第一區(qū)以及與該第一區(qū)相鄰的一第二區(qū)，且該多個(gè)芯線、該多個(gè)間隙壁以及該覆蓋層形成于該第一區(qū)以及該第二區(qū)上。

11.如權(quán)利要求10所述的圖案化方法，還包括：

形成一圖案化掩模層覆蓋該第二區(qū)上的該多個(gè)間隙壁，其中該圖案化掩模層于將至少一部分的該多個(gè)間隙壁的該圖案轉(zhuǎn)移至該硬掩模層的步驟中覆蓋該第二區(qū)上的該多個(gè)間隙壁。

12.如權(quán)利要求11所述的圖案化方法，其中該圖案化掩模層形成于移除該多個(gè)芯線與該覆蓋層之后。

13.如權(quán)利要求11所述的圖案化方法，其中該圖案化掩模層形成于該平坦化制作工藝之后以及移除該多個(gè)芯線與該覆蓋層之前。