[發明專利]圖案化方法

有效

• 申請號: 201810342023.9
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN110391136B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 張峰溢;李甫哲;蔣欣妤
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種圖案化方法，其特征在于，包括：

在一第一掩模層上形成一第二掩模層；

對該第一掩模層以及該第二掩模層進行一圖案化制作工藝，其中該第一掩模層被圖案化成為一第一掩模圖案，且該第二掩模層被圖案化成為一第二掩模圖案形成于該第一掩模圖案上；

在該第一掩模圖案和該第二掩模圖案形成后，對該第二掩模圖案進行一等離子體處理，其中該第二掩模圖案的一部分被該等離子體處理轉換成一被處理層；

移除該被處理層，用以使該第二掩模圖案的寬度小于該第一掩模圖案的寬度；

在移除該被處理層之后，形成一覆蓋層覆蓋該第一掩模圖案以及該第二掩模圖案；

移除該覆蓋層的一部分，用以暴露出該第二掩模圖案的上表面；

移除該第二掩模圖案，用以于該覆蓋層中形成多個開孔，其中各該開孔暴露出該第一掩模圖案的一部分；以及

在移除該第二掩模圖案之后，以該覆蓋層為掩模對該第一掩模圖案進行圖案化，其中該第一掩模圖案被圖案化而成為一第三掩模圖案，

其中所述圖案化方法，還包括：

在移除該第二掩模圖案之后以及對該第一掩模圖案進行圖案化之前，對該覆蓋層進行一削減制作工藝，

其中該第一掩模圖案包括多個第一子圖案，且該被處理層覆蓋各該第一子圖案的側表面。

2.如權利要求1所述的圖案化方法，其中該等離子體處理包括一氧化處理或一氫化處理。

3.如權利要求2所述的圖案化方法，其中該第二掩模圖案的該部分被該等離子體處理氧化或氫化而成為該被處理層。

4.如權利要求2所述的圖案化方法，其中該氧化處理包括一熱氧化處理，且該氧化處理的制作工藝溫度高于或等于250℃。

5.如權利要求2所述的圖案化方法，其中該氧化處理中使用的氧氣壓力高于或等于1巴。

6.如權利要求1所述的圖案化方法，其中該被處理層包覆該第二掩模圖案。

7.如權利要求1所述的圖案化方法，其中該第二掩模層包括一氮摻雜碳化硅層。

8.如權利要求1所述的圖案化方法，其中該第二掩模圖案于該等離子體處理之后的該寬度小于該第二掩模圖案于該等離子體處理之前的寬度。

9.如權利要求1所述的圖案化方法，其中于該等離子體處理之前，該第二掩模圖案的寬度等于該第一掩模圖案的寬度。

10.如權利要求1所述的圖案化方法，其中該第二掩模圖案包括多個第二子圖案，且兩個相鄰的該多個第一子圖案之間的距離等于各該第二子圖案于該等離子體處理后的寬度。

11.如權利要求1所述的圖案化方法，其中各該第一子圖案的該側表面上的該被處理層是由消耗一部分的各該第一子圖案而形成。

12.如權利要求1所述的圖案化方法，其中該覆蓋層包括一平坦化層，且該第一掩模圖案以及該第二掩模圖案中的空隙被該覆蓋層填滿。

13.如權利要求1所述的圖案化方法，其中各該開孔的寬度等于兩個相鄰的該多個第一子圖案之間的距離。

14.如權利要求1所述的圖案化方法，其中該第一掩模層形成于一材料層上，且該圖案化方法還包括：

將該第三掩模圖案的圖形轉移至該材料層。