[發(fā)明專利]用于基板處理的混合平臺式設(shè)備、系統(tǒng)以及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810342003.1 | 申請日: | 2014-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN108695213B | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 邁克爾·R·賴斯;杰弗里·C·赫金斯 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H05K3/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 處理 混合 平臺 設(shè)備 系統(tǒng) 以及 方法 | ||
一種電子裝置制造系統(tǒng)可包括主框架,不同尺寸的一或多個處理腔室可與其耦接。不同數(shù)量的處理腔室可與主框架的各個小面(即側(cè)壁)耦接。與一個小面耦接的處理腔室相較于與其他小面耦接的處理腔室可為不同尺寸。例如,第一尺寸的一個處理腔室可與第一小面耦接,不同于第一尺寸的第二尺寸的兩個處理腔室的各個可與第二小面耦接,不同于第一尺寸及第二尺寸的第三尺寸的三個處理腔室的各個可與第三小面耦接。可能有其他配置。主框架可具有正方形或矩形形狀。還提供組合電子裝置制造系統(tǒng)的方法,如其他態(tài)樣。
本申請是申請日為2014年9月24日、申請?zhí)枮?01480052802.5、發(fā)明名稱為“用于基板處理的混合平臺式設(shè)備、系統(tǒng)以及方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請主張于2013年9月26日提出申請的美國臨時專利申請第61/882,795號的優(yōu)先權(quán)權(quán)益,該美國臨時專利申請發(fā)明名稱為“MIXED-PLATFORM APPARATUS,SYSTEMS,ANDMETHODS FOR SUBSTRATE PROCESSING(用于基板處理的混合平臺式設(shè)備、系統(tǒng)以及方法”(代理人案號21215/L),其內(nèi)容在此以引用的方式針對所有目的將其并入。
領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及電子裝置制造,更特定言之,涉及用于基板處理的混合平臺式設(shè)備、系統(tǒng)與方法。
背景
傳統(tǒng)電子裝置制造系統(tǒng)可包括主框架,多個處理腔室與負(fù)載鎖定室排列在該主框架附近。主框架可具有一數(shù)量的側(cè)壁(通常被稱為“小面”),通常同等數(shù)量一般相同尺寸的處理腔室與/或負(fù)載鎖定腔室與其耦接。例如,主框架可具有四個小面,其中第一小面可具有與其耦接的兩個負(fù)載鎖定室,并且其他三個小面的各個小面可具有與其耦接的一般相同尺寸的兩個處理腔室。此主框架配置通常被提供以允許各式處理腔室與/或負(fù)載鎖定室選擇性地與可交換性地排列于主框架附近。然而,可在電子裝置制造系統(tǒng)中執(zhí)行的基板處理的類型與順序可由此主框架配置限制。
因此,需要設(shè)備、系統(tǒng)與方法以提供其他基板處理主框架配置。
概述
根據(jù)第一態(tài)樣,提供一種電子裝置制造系統(tǒng)。該電子裝置制造系統(tǒng)包括含有傳送腔室與限定傳送腔室的多個小面的主框架,多個小面的各個經(jīng)配置而與一或多個處理腔室或負(fù)載鎖定室耦接,多個小面的各個具有一或多個基板出入口,其中多個小面的第一個具有第一數(shù)量的基板出入口,及多個小面的第二個具有第二數(shù)量的基板出入口,第二數(shù)量不同于第一數(shù)量。
根據(jù)第二態(tài)樣,提供另一種電子裝置制造系統(tǒng)。該種電子裝置制造系統(tǒng)包括含有傳送腔室與限定傳送腔室的多個小面的主框架,與多個小面的第一個耦接的第一處理腔室,及與多個小面的第二個耦接的第二處理腔室,第一處理腔室具有第一小面?zhèn)瘸叽纾诙幚砬皇揖哂胁煌诘谝恍∶鎮(zhèn)瘸叽绲牡诙∶鎮(zhèn)瘸叽纭?/p>
根據(jù)第三態(tài)樣,提供一種組裝電子裝置制造系統(tǒng)的方法。該方法包括提供包含傳送腔室與限定傳送腔室的側(cè)壁的多個小面的主框架,將第一腔室與多個小面的第一個耦接,及將第二腔室與多個小面的第二個耦接,第一腔室具有第一小面?zhèn)瘸叽纾诙皇揖哂胁煌诘谝恍∶鎮(zhèn)瘸叽绲牡诙∶鎮(zhèn)瘸叽纭?/p>
本發(fā)明實施方式的又一個態(tài)樣、特征與優(yōu)點可從以下詳盡說明而輕易彰顯,其中描述與繪示了一數(shù)量的示范實施方式與實施方式,包括考慮用于執(zhí)行本發(fā)明的最佳模式。在不背離本發(fā)明范圍下,本發(fā)明也可包括其他與不同的實施方式,且其若干細(xì)節(jié)可在各方面作修改。因此,圖示與說明自然被視為其說明,而非限制。本發(fā)明涵蓋所有落于本發(fā)明范圍內(nèi)的變化、等同及替代發(fā)明。
附圖簡要說明
以下附圖僅作為說明用途而不必依比例繪示。所述附圖不意圖以任何方式限制本公開內(nèi)容的范圍。
圖1根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)繪示了電子裝置制造系統(tǒng)的示意頂視圖。
圖2根據(jù)實施方式繪示了混和平臺式電子裝置制造系統(tǒng)的示意頂視圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





