[發明專利]用于基板處理的混合平臺式設備、系統以及方法有效
| 申請號: | 201810342003.1 | 申請日: | 2014-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN108695213B | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發明(設計)人: | 邁克爾·R·賴斯;杰弗里·C·赫金斯 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H05K3/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 混合 平臺 設備 系統 以及 方法 | ||
1.一種電子裝置制造系統,包括:
主框架,所述主框架包含傳送腔室與限定所述傳送腔室的側壁的多個小面,所述多個小面的各個小面經配置而與多個處理腔室的一或多個處理腔室或多個負載鎖定室的一或多個負載鎖定室耦接,所述多個小面的各個小面具有一或多個基板出入口,其中:
所述多個小面的第一個小面具有第一數量的處理腔室且與所述第一數量的處理腔室耦接;
所述多個小面的第二個小面具有第二數量的處理腔室且與所述第二數量的處理腔室耦接,所述第二數量的處理腔室不同于所述第一數量的處理腔室;且
所述多個負載鎖定室的至少一部分與所述多個小面的第四個小面耦接,
所述多個處理腔室的第一個處理腔室與所述第一個小面耦接,所述第一個處理腔室具有第一小面側尺寸,且所述多個處理腔室的第二個處理腔室與所述第二個小面耦接,且所述第二個處理腔室具有第二小面側尺寸,所述第二小面側尺寸不同于所述第一小面側尺寸。
2.如權利要求1所述的電子裝置制造系統,其中所述多個負載鎖定室的至少一個負載鎖定室是堆疊負載鎖定室。
3.如權利要求1所述的電子裝置制造系統,其中所述多個負載鎖定室的至少一個負載鎖定室是三重堆疊負載鎖定室。
4.如權利要求1所述的電子裝置制造系統,其中所述多個負載鎖定室的至少一個負載鎖定室是具有處理能力的負載鎖定室。
5.如權利要求1所述的電子裝置制造系統,其中所述多個負載鎖定室是分批式的負載鎖定室、單一基板式的負載鎖定室或它們的組合。
6.如權利要求1所述的電子裝置制造系統,其中所述多個小面的第三個小面具有第三數量的處理腔室且與所述第三數量的處理腔室附接,所述第三數量的處理腔室不同于所述第一數量的處理腔室且不同于所述第二數量的處理腔室。
7.如權利要求1所述的電子裝置制造系統,其中所述多個處理腔室的第三個處理腔室與所述多個小面的第三個小面耦接,且所述第三個處理腔室具有第三小面側尺寸,所述第三小面側尺寸不同于所述第一小面側尺寸且不同于所述第二小面側尺寸。
8.如權利要求1所述的電子裝置制造系統,其中第四處理腔室和第五處理腔室與所述第一個小面耦接,所述第四處理腔室和所述第五處理腔室各具有小面側尺寸,所述小面側尺寸與所述第一個處理腔室的所述第一小面側尺寸實質相等。
9.如權利要求1所述的電子裝置制造系統,其中第六處理腔室耦接至所述第二個小面,所述第六處理腔室具有與所述第二個處理腔室的所述第二小面側尺寸實質相等的第六小面側尺寸。
10.如權利要求1所述的電子裝置制造系統,其中所述多個負載鎖定室包括三重堆疊負載鎖定室,并且其中所述三重堆疊負載鎖定室中的至少一個負載鎖定室是具有處理能力的負載鎖定室。
11.如權利要求1所述的電子裝置制造系統,其中所述多個負載鎖定室包括與所述多個小面的一個小面耦接的三重堆疊負載鎖定室,所述三重堆疊負載鎖定室具有頂部基板空間、中部基板空間和底部基板空間,并且其中所述頂部基板空間是具有處理能力的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





