[發明專利]半導體裝置封裝和其制造方法

有效

• 申請號: 201810341673.1
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN109427729B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 李志成;蘇洹漳
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

公開一種用于封裝半導體裝置的襯底。所述襯底包含具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的第一介電層、鄰接所述第一介電層的所述第一表面的第一圖案化導電層以及鄰接所述第一介電層的所述第二表面的第二圖案化導電層。所述第一介電層包含鄰接所述第一表面的第一部分、鄰接所述第二表面的第二部分以及所述第一部分與所述第二部分之間的加固結構。所述第一介電層的所述第一部分的厚度不同于所述第一介電層的所述第二部分的厚度。

技術領域

本公開涉及一種用于封裝半導體裝置的襯底。更確切地說，本公開涉及一種包含具有加固結構的介電層的襯底，所述加固結構更接近介電層的頂部表面或底部表面。

背景技術

在半導體裝置封裝中，襯底用于封裝半導體裝置。襯底可包含鄰接介電層的一側的第一導電層和鄰接介電層的另一側的第二導電層。第一導電層和第二導電層中的每一個由焊料掩模層覆蓋或包圍以被保護。翹曲問題可能發生在襯底中，這可能不利地影響后續操作；例如彎曲的襯底(由翹曲引起)可在將半導體裝置連接到襯底時或之后導致可靠性問題。介電層、第一導電層和第二導電層之間的結構差異(例如，非對稱結構/配置、數量或尺寸)可能引起襯底的翹曲。

發明內容

在一些實施例中，根據一個方面，一種用于封裝半導體裝置的襯底包含具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的第一介電層、鄰接第一介電層的第一表面的第一圖案化導電層以及鄰接第一介電層的第二表面的第二圖案化導電層。第一介電層包含鄰接第一表面的第一部分、鄰接第二表面的第二部分以及第一部分與第二部分之間的加固結構。第一介電層的第一部分的厚度不同于所述第一介電層的第二部分的厚度。

在一些實施例中，根據另一方面，一種用于封裝半導體裝置的襯底包含具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的介電層、鄰接所述介電層的第一表面的第一圖案化導電層以及鄰接所述介電層的第二表面的第二圖案化導電層。介電層包含樹脂層和加固結構。加固結構的中心線偏離介電層的中心線或與其不重合。

在一些實施例中，根據另一方面，公開一種用于制造襯底的方法。所述方法包含提供載體、在所述載體上形成第一圖案化導電層以及將第一介電層層壓在所述第一圖案化導電層上。第一介電層具有鄰接第一圖案化導電層的第一表面和與第一表面相對的第二表面。第一介電層包含更接近第一表面或第二表面中的一個的加固結構。所述方法還包含在第一介電層的第二表面上形成第二圖案化導電層。第二圖案化導電層電連接到第一圖案化導電層。所述方法還包含去除載體。

附圖說明

圖1A說明根據本公開的一些實施例的襯底的橫截面視圖。

圖1B說明根據本公開的一些實施例的襯底的橫截面側視圖。

圖2A說明根據本公開的一些實施例的襯底的橫截面視圖。

圖2B說明根據本公開的一些實施例的襯底的橫截面側視圖。

圖3說明根據本公開的一些實施例的襯底的橫截面視圖。

圖4A說明根據本公開的一些實施例的制造襯底的方法。

圖4B說明根據本公開的一些實施例的制造襯底的方法。

圖4C說明根據本公開的一些實施例的制造襯底的方法。

圖4D說明根據本公開的一些實施例的制造襯底的方法。

圖4E說明根據本公開的一些實施例的制造襯底的方法。

圖4F說明根據本公開的一些實施例的制造襯底的方法。

圖4G說明根據本公開的一些實施例的制造襯底的方法。

圖4H說明根據本公開的一些實施例的制造襯底的方法。

圖4I說明根據本公開的一些實施例的制造襯底的方法。

具體實施方式