[發明專利]一種對電阻率斷面進行層位校正的方法及裝置有效
| 申請號: | 201810338750.8 | 申請日: | 2018-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN108535783B | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發明(設計)人: | 王鵬;馮宏;曾方祿;姚偉華;郭恒;王益;李丹 | 申請(專利權)人: | 中煤科工集團西安研究院有限公司 |
| 主分類號: | G01V3/38 | 分類號: | G01V3/38 |
| 代理公司: | 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340 | 代理人: | 李振文 |
| 地址: | 710077 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 校正 標志層 電阻率 電性 地層 電阻率測井曲線 測點 層位 鉆孔 地層電阻率 補償校正 地質勘測 深度信息 斷面層 探測區 測線 地電 對層 種層 匹配 統計 分析 | ||
1.一種對電阻率斷面進行層位校正的方法,其特征在于,包括:
距離確定步驟,獲取探測區地層的地電斷面類型,確定電性標志層和地層標志層,并確定兩標志層的實際距離;
斷面圖標注步驟,在擬校正電阻率斷面圖上分別標注電性標志層與地層標志層并確定二者之間的測量距離;
偏差確認步驟,逐點對比擬校正電阻率斷面圖上電性標志層與地層標志層之間的測量距離和實際距離的差異,確定各測點的補償深度;
測點補償步驟,對所有測點進行補償校正,完成電阻率斷面的層位校正;
其中,所述偏差確認步驟中,對第i個測點,電性標志層實際深度為電性標志層在斷面圖上的深度為地層標志層實際深度為定義電性標志層與地層標志層的實際距離則補償深度di為:
2.根據權利要求1所述的一種對電阻率斷面進行層位校正的方法,其特征在于,包括:所述距離確定步驟進一步包括:
測井曲線分析子步驟,根據鉆孔電阻率測井曲線獲取鉆孔揭露地層電阻率和深度信息;
電性標志層確定子步驟,對鉆孔數據統計分析,獲得探測區地層的地電斷面類型,確定電性標志層;
地層標志層確定子步驟,根據地質資料確定的探測區地層穩定性和起伏情況,確定地層標志層。
3.根據權利要求2所述的一種對電阻率斷面進行層位校正的方法,其特征在于,所述測井曲線分析子步驟中:對尚未掌握地電斷面規律的測區,統計至少3個鉆孔的電阻率測井曲線,且鉆孔應未布置在富水異常區;對已掌握地電斷面規律、或與已掌握區域地質條件明確相同的測區,統計至少1個鉆孔的電阻率測井曲線,且鉆孔應未布置在富水異常區。
4.根據權利要求1所述的一種對電阻率斷面進行層位校正的方法,其特征在于,所述斷面圖標注步驟進一步包括:
電性標注子步驟,確認擬校正電阻率斷面圖在縱向上反映探測區地電斷面,確定電性標志層的存在及其在電阻率斷面圖上的分布;
地層標注子步驟,在擬校正電阻率斷面圖上分別標注電性標志層與地層標志層。
5.根據權利要求1所述的一種對電阻率斷面進行層位校正的方法,其特征在于,所述測點補償步驟中,按以下公式對測點整體深度進行補償校正:
Di,1~n=di,1~n+di
式中,Di,1~n為校正后第i個測點第1道到第n道的深度,di,1~n為校正前第i個測點第1道到第n道的深度。
6.一種對電阻率斷面進行層位校正的裝置,包括:
距離確定模塊,獲取探測區地層的地電斷面類型,確定電性標志層和地層標志層,并確定兩標志層的實際距離;
斷面圖標注模塊,在擬校正電阻率斷面圖上分別標注電性標志層與地層標志層并確定二者之間的測量距離;
偏差確認模塊,逐點對比擬校正電阻率斷面圖上電性標志層與地層標志層之間的測量距離和實際距離的差異,確定各測點的補償深度;
測點補償模塊,對所有測點進行補償校正,完成電阻率斷面的層位校正;
其中,所述偏差確認模塊中,對第i個測點,電性標志層實際深度為電性標志層在斷面圖上的深度為地層標志層實際深度為定義電性標志層與地層標志層的實際距離則補償深度di為:
7.根據權利要求6所述的一種對電阻率斷面進行層位校正的裝置,其特征在于,包括:所述距離確定模塊進一步包括:
測井曲線分析單元,根據鉆孔電阻率測井曲線獲取鉆孔揭露地層電阻率和深度信息;
電性標志層確定單元,對鉆孔數據統計分析,獲得探測區地層的地電斷面類型,確定電性標志層;
地層標志層確定單元,根據地質資料確定的探測區地層穩定性和起伏情況,確定地層標志層。
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