[發明專利]原子發射光譜儀、半導體制造系統和半導體元件制造方法

在審

• 申請號: 201810337027.8
• 申請日: 2018-04-16
• 公開（公告）號: CN109540295A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 樸相吉;田炳煥;安泰興
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01J3/443
• 分類號: G01J3/443;G01J3/02;G01N21/73
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;趙南

本公開提供了原子發射光譜儀、半導體制造系統和半導體元件制造方法。一種原子發射光譜儀(AES)包括：至少一個激光發生器，其被構造為產生激光束；室，其包括布置在室中的橢圓反射鏡或球面鏡，橢圓反射鏡或球面鏡被構造為反射透射至室中的激光束，使得激光束會聚和照射至容納在室中的被分析物上，以產生等離子體并發射等離子體光；供應器，其連接至室，以將被分析物供應至室中；以及光譜儀，其被構造為接收和分析等離子體光，并且獲得關于等離子體光的數據以檢測被分析物中的元素。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2017年9月22日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2017-0122871的優先權，該申請的公開以引用方式全文并入本文中。

技術領域

根據本發明構思的設備和方法涉及一種半導體裝置制造裝置和一種制造半導體裝置的方法，并且更具體地說，涉及一種被構造為檢查和分析被分析物的原子發射的原子發射光譜儀(AES)，一種包括AES的半導體制造設施，以及一種利用AES來制造半導體裝置的方法。

背景技術

光譜儀可為一種被構造為測量由材料發射或者被吸收入材料中的光的光譜的裝置。光譜儀可根據波長的差異分解電磁波(EMW)，并且測量EMW的強度分布，以獲得關于被分析物中的電子和原子核的排列和被分析物的運動的信息。具體地說，光譜儀可測量和分析發射光譜以檢測被分析物中的特定元素。例如，光譜儀可包括干涉光譜儀、光柵光譜儀和棱鏡光譜儀。干涉光譜儀可為被構造為使得光的許多射線彼此干涉的裝置。干涉光譜儀的典型示例可為法布里-珀羅干涉儀。光柵光譜儀(利用衍射光柵的光譜儀)可適用于紅外線(IR)或紫外線(UV)光譜學，這是因為光柵光譜儀非常擅于分離具有相近波長的光，并且不會導致光被吸收至玻璃中。過去廣泛使用的棱鏡光譜儀可包括準直儀、棱鏡和相機。

發明內容

本發明構思的示例性實施例提供了一種原子發射光譜儀(AES)、一種包括AES的半導體制造系統、以及一種利用AES來制造半導體裝置的方法，所述AES可在具有高檢測強度的同時縮小尺寸。

根據示例性實施例的一方面，提供了一種基于激光誘導等離子體(LIP)的AES，該AES可包括：至少一個激光發生器，其被構造為產生激光束；室，其包括橢圓反射鏡或球面鏡，橢圓反射鏡或球面鏡布置在室中，并且被構造為反射透射至室中的激光束，使得激光束會聚和照射至容納在室中的被分析物上，以產生等離子體和發射等離子體光；供應器，其連接至室，以將被分析物供應至室中；以及光譜儀，其被構造為接收和分析等離子體光，以及獲得關于等離子體光的數據以檢測被分析物中的元素。

根據示例性實施例的一方面，提供了一種基于LIP的AES，該AES可包括：室，其被構造為接收被分析物；至少一個激光發生器，其被構造為產生激光束；光學元件，其包括聚焦光學元件，激光束通過該聚焦光學元件透射至形成在室內的會聚點上，以產生等離子體；供應器，其連接至室，以將被分析物供應至室中；以及光譜儀，其被構造為接收和分析來自等離子體的等離子體光，并且獲得關于等離子體光的數據，以檢測被分析物中的元素。

根據示例性實施例的一方面，提供了一種半導體制造系統，該半導體制造系統可包括：化學制品貯存器，其被構造為存儲用于包括清潔、光刻、蝕刻、氧化、擴散和沉積、以及拋光的處理中的至少一個處理的化學制品；至少一個室，其被構造為接收應用于半導體以執行所述至少一個處理的化學制品；化學制品供應器，其被構造為針對所述至少一個處理將化學制品供應至所述至少一個室中；以及AES，其被構造為接收包括被分析物的化學制品和分析被分析物。