[發明專利]原子發射光譜儀、半導體制造系統和半導體元件制造方法在審
| 申請號: | 201810337027.8 | 申請日: | 2018-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN109540295A | 公開(公告)日: | 2019-03-29 |
| 發明(設計)人: | 樸相吉;田炳煥;安泰興 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G01J3/443 | 分類號: | G01J3/443;G01J3/02;G01N21/73 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 張帆;趙南 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 原子發射光譜儀 等離子體光 被分析物 半導體元件制造 半導體制造系統 橢圓反射鏡 激光束 球面鏡 等離子體 激光發生器 激光束會聚 光譜儀 供應器 透射 反射 照射 容納 發射 檢測 分析 | ||
1.一種原子發射光譜儀,包括:
至少一個激光發生器,其被構造為產生激光束;
室,其包括橢圓反射的鏡或球面的鏡,橢圓反射的鏡或球面的鏡布置在所述室中,并且被構造為反射透射至所述室中的激光束,使得所述激光束會聚和照射至容納在所述室中的被分析物上,以產生等離子體并發射等離子體光;
供應器,其連接至所述室,以將所述被分析物供應至所述室中;以及
光譜儀,其被構造為接收和分析所述等離子體光,以及獲得關于所述等離子體光的數據以檢測所述被分析物中的元素。
2.根據權利要求1所述的原子發射光譜儀,其中,所述供應器包括所述被分析物通過其被供應至所述室中的第一供應線路和所述室中的氣體通過其被排放的第二供應線路。
3.根據權利要求1所述的原子發射光譜儀,其中,所述供應器還被構造為將載氣供應至所述室中。
4.根據權利要求1所述的原子發射光譜儀,其中,所述供應器連接至所述室,以在產生所述等離子體的同時供應所述被分析物。
5.根據權利要求1所述的原子發射光譜儀,其中,所述供應器包括噴霧器,所述噴霧器被構造為使液態被分析物蒸發以產生將被供應至所述室中的所述被分析物。
6.根據權利要求1所述的原子發射光譜儀,其中,所述供應器包括被構造為將液態的所述被分析物供應至所述室中的液滴形成裝置。
7.根據權利要求1所述的原子發射光譜儀,其中,所述室包括窗,激光束通過所述窗透射至所述室中,并且所述等離子體光通過所述窗向外出射至所述光譜儀,
其中,所述鏡包括布置在所述室的內表面的面對所述窗的一部分上的橢圓反射鏡,
其中,該橢圓反射鏡被構造為具有兩個焦點,來自所述兩個焦點中的任一個的光被該橢圓反射鏡反射并且朝著所述兩個焦點中的另一個行進,從而所述激光束被該橢圓反射鏡反射和會聚在會聚點上,以產生所述等離子體,并且所述等離子體光通過所述窗向外出射至所述光譜儀。
8.根據權利要求1所述的原子發射光譜儀,還包括光學元件,該光學元件包括第一分色鏡,在所述激光發生器處產生的激光束通過所述第一分色鏡透射至所述室中,并且所述等離子體光通過所述第一分色鏡向外出射至所述光譜儀。
9.根據權利要求8所述的原子發射光譜儀,其中,所述激光發生器包括:
第一激光發生器,其被構造為產生第一激光束,以點燃所述室中的等離子體;以及
第二激光發生器,其被構造為產生第二激光束,以將所述室的內部保持在高溫,并且
其中,所述光學元件還包括第二分色鏡,所述第一激光束和所述第二激光束通過所述第二分色鏡組合為激光束并且透射至所述室中。
10.根據權利要求9所述的原子發射光譜儀,其中,布置在所述室內的鏡包括橢圓反射鏡,該橢圓反射鏡被構造為將透射至所述室中的激光束反射至該橢圓反射鏡的第一焦點,所述激光束在該第一焦點處會聚和照射在所述被分析物上以產生所述等離子體,并且
其中,所述光學元件還包括布置在所述第一分色鏡與所述第二分色鏡之間的至少一個透鏡,以在該透鏡與所述第一分色鏡之間產生所述橢圓反射鏡的第二焦點。
11.根據權利要求9所述的原子發射光譜儀,其中,布置在所述室內的鏡包括橢圓反射鏡,該橢圓反射鏡被構造為將透射至所述室中的激光束反射至所述橢圓反射鏡的第一焦點,該激光束在所述第一焦點會聚和照射至所述被分析物上,以產生所述等離子體,并且
其中,所述光學元件還包括布置在所述第二激光發生器與所述第二分色鏡之間的至少一個透鏡,以在該透鏡與所述第二分色鏡之間產生所述橢圓反射鏡的第二焦點。
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