[發明專利]一種基于復合互連襯底的芯片封裝結構及其方法有效
| 申請號： | 201810336841.8 | 申請日： | 2018-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN108649041B | 公開（公告）日： | 2021-01-26 |
| 發明（設計）人： | 陳琳;王天宇;何振宇;孫清清;張衛 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;陸尤 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 復合 互連 襯底 芯片 封裝 結構 及其 方法 | ||
1.一種基于復合互連襯底的芯片封裝結構，其特征在于，包括：
基板，其具有上下兩個凹槽，頂部凹槽的長度小于底部凹槽的長度；芯片貼合在底部凹槽中；頂部凹槽中注入有塑模材料；
第一引線柱，若干根，分設于基板底部凹槽內側；
第二引線柱，若干根，分設于芯片四周、與所述第一引線柱相應的位置，第一引線柱與所述第二引線柱一一對應，且兩者貼合；
以及光學玻璃，封裝在所述基板上。
2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述底部凹槽的長度為5mm~7mm，寬度為1mm~5mm，高度為0.1mm~0.2mm；所述頂部凹槽的長度為2mm~4mm，寬度為2mm~4mm，高度為0.5~1.5mm。
3.根據權利要求1或2所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一引線柱、所述第二引線柱為10根以上。
4.根據權利要求3所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一引線柱、所述第二引線柱的長度為0.5mm~0.7mm，寬度為0.1mm~0.5mm，高度為0.1mm ~0.2mm。
5.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一引線柱、所述第二引線柱材料為銅、金或銀。
6.一種如權利要求1-5之一所述基于復合互連襯底的芯片封裝結構的封裝方法，其特征在于，具體步驟為：
制備帶有凹槽的基板；凹槽有兩個，分設在基板的頂部和底部，頂部凹槽的長度小于底部凹槽的長度；
在基板底部凹槽內側設置第一引線柱；
準備芯片，將芯片貼合在基板底部凹槽中，在芯片四周設置第二引線柱，第二引線柱與第一引線柱的位置一一對應，且兩者貼合；
在基板四周裝載基材形成閉合模具，并留有注入通道；
通過注入通道將塑模材料注入到模腔，然后去除模具；
封裝光學玻璃，得到復合互連襯底的芯片封裝結構。
7.根據權利要求6所述的封裝方法，其特征在于，芯片通過粘合劑貼合在基板底部凹槽中，具體步驟為：
將所述基板 上下翻轉，將銀漿作為粘合劑滴入到所述底部凹槽中，在充滿氮氣的循環烘箱進行烘烤，使銀漿固化。
8.根據權利要求6所述的封裝方法，其特征在于，所述芯片為CMOS圖像傳感器芯片。
9.根據權利要求6所述的封裝方法，其特征在于，所述塑模材料為環氧樹脂模塑料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
