[發明專利]CT約束的電阻抗醫療成像方法有效
| 申請號: | 201810335355.4 | 申請日: | 2018-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN108888268B | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發明(設計)人: | 張捷;李子昂 | 申請(專利權)人: | 中國科學技術大學 |
| 主分類號: | A61B5/053 | 分類號: | A61B5/053 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 崔亞松 |
| 地址: | 230026 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | ct 約束 阻抗 醫療 成像 方法 | ||
一種CT約束的電阻抗醫療成像方法,包括:(1)在待測區域布設電極,所述電極包括注入電極和測量電極;(2)向注入電極注入微電流,通過測量電極獲取測量電壓,與此同時,對待測部位進行CT影像掃描,獲取待測部位CT值;(3)按照經驗,建立一個應用于成像的初始模型;(4)執行CT約束下的電阻抗聯合反演過程;(5)獲取電壓殘差曲線,判斷電壓殘差曲線是否收斂,如果不收斂,將新的電阻抗模型定義為初始模型,計算電壓殘差,計算交叉梯度函數,再次進行迭代得到新的電阻抗模型;如果收斂,則輸出當前反演所得電阻抗模型,作為最終反演結果。本發明所述方法能顯著提高傳統EIT成像的空間分辨率。
技術領域
本發明涉及電阻抗成像技術以及有限元正演建模技術,具體涉及一種 用CT約束的電阻抗醫療成像方法。
背景技術
隨著科學技術的發展,計算機斷層成像技術(Computed Tomography, CT)為疾病的診斷提供了一種客觀、準確、迅速的手段。但是傳統的CT 是一種醫學結構成像,在一些病癥的診斷上存在局限性。近年來,又出現 了一種基于生物組織電學特性的電阻抗斷層成像技術(Electrical Impedance Tomography,EIT)。EIT是根據物體內部組織電特性參數(如電阻率、電容率)的不同,通過對其表面施加安全激勵電流或電壓,同時 測量物體表面的電壓或電流信號來獲知物體內部電特性參數的分布,進而 重建出反映物體內部結構的圖像。這對生物體內部電特性的研究具有重要 意義,因為不同組織和器官的電特性不同。這種圖像不僅包含了豐富的解 剖學信息,而且可以獲得某些組織和器官的電特性隨其病理、生理功能狀 態而改變的信息。
某些人體組織的生理功能變化能引起組織阻抗的變化,如組織充血和 放電等,脂肪過多,某些組織病理改變也能引起組織阻抗的變化(如早期 白血病顯示骨髓導電率先發生變化等)。當加上正弦激勵后,這些信息必 然會改變點位參數的分布,這些信息將會在EIT圖像中體現出來,所以 EIT具有功能成像的性質。利用EIT技術,可以顯示人體內組織的阻抗分 布圖像、人體組織隨頻率變化圖像、人體器官進行生理活動(如呼吸、心 臟搏動)時的阻抗變化圖像等,在臨床上可用于檢測和監護。該技術具有 無損傷,低成本,操作簡單和信息豐富等特點,近十幾年受到國際學術界 的廣泛關注,并呈現出很好的應用前景。相對于CT,EIT是一種功能成像, 對人體器官病變的診斷具有一定的優越性。但是,傳統的EIT存在著空間 分辨率低的問題。
發明內容
為了解決現有技術中存在的上述問題,本發明提出了一種高分辨率電 阻抗成像方法,應用交叉梯度算子,將同一部位的CT成像的結構信息作 為約束加入到EIT成像中,從而提高EIT成像的空間分辨率。
為了達到以上目的,本發明提出了一種CT約束的電阻抗醫療成像方 法,包括:
(1)在待測區域布設電極,所述電極包括注入電極和測量電極;
(2)向注入電極注入微電流,通過測量電極獲取測量電壓,與此同 時,對待測部位進行CT影像掃描,獲取待測部位CT值;
(3)按照經驗,建立一個應用于成像的初始模型;
(4)執行CT約束下的電阻抗聯合反演過程,所述電阻抗聯合反演過 程:根據初始模型,通過有限元正演計算理論電壓,與測量電壓相減獲得 電壓殘差;根據初始模型以及CT模型,計算交叉梯度函數;通過高斯牛 頓迭代法得到電阻抗殘差,將電阻抗殘差改正到初始模型得到新的電阻抗 模型;
(5)獲取電壓殘差曲線,判斷電壓殘差曲線是否收斂,如果不收斂, 將新的電阻抗模型定義為初始模型,計算電壓殘差,計算交叉梯度函數, 再次進行迭代得到新的電阻抗模型;如果收斂,則輸出當前反演所得電阻 抗模型,作為最終反演結果。
優選地,如果不建立初始模型,初始模型設為默認均勻模型。
優選地,所述電阻抗聯合反演過程利用最小化一個目標函數來求解最 優的電阻抗分布,所述目標函數為:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學技術大學,未經中國科學技術大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810335355.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





