[發(fā)明專利]CT約束的電阻抗醫(yī)療成像方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810335355.4 | 申請日: | 2018-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN108888268B | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張捷;李子昂 | 申請(專利權)人: | 中國科學技術大學 |
| 主分類號: | A61B5/053 | 分類號: | A61B5/053 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 崔亞松 |
| 地址: | 230026 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | ct 約束 阻抗 醫(yī)療 成像 方法 | ||
1.一種CT約束的電阻抗醫(yī)療成像方法,包括:
(1)在待測區(qū)域布設電極,所述電極包括注入電極和測量電極;
(2)向注入電極注入微電流,通過測量電極獲取測量電壓,與此同時,對待測部位進行CT影像掃描,獲取待測部位CT值;
(3)按照經驗,建立一個應用于電阻抗醫(yī)療成像的初始模型;
(4)執(zhí)行CT約束下的電阻抗聯(lián)合反演過程,所述電阻抗聯(lián)合反演過程:根據初始模型,通過有限元正演計算理論電壓,與測量電壓相減獲得電壓殘差;根據初始模型以及CT模型,計算交叉梯度函數(shù);通過高斯牛頓迭代法得到電阻抗殘差,將電阻抗殘差改正到初始模型得到新的電阻抗模型;
交叉梯度函數(shù)t(mE,mC)的函數(shù)表現(xiàn)形式為:
其中,mE表示阻抗分布,mC表示CT值分布;
(5)獲取電壓殘差曲線,判斷電壓殘差曲線是否收斂,如果不收斂,將新的電阻抗模型定義為初始模型,計算電壓殘差,計算交叉梯度函數(shù),再次進行迭代得到新的電阻抗模型;如果收斂,則輸出當前反演所得電阻抗模型,作為最終反演結果。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,如果不建立初始模型,初始模型默認設為均勻模型。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,所述電阻抗聯(lián)合反演過程利用最小化一個目標函數(shù)來求解最優(yōu)的電阻抗分布,所述目標函數(shù)為:
Φ(m)=||dE-S(mE)||2+||αL mE||2+||βt(mE,mC)||2
其中dE表示測量電壓,S(mE)表示正演計算得到的理論電壓,mE表示阻抗分布,mC表示CT值分布,L表示正則化算子,α表示正則化權重因子,t(mE,mC)表示交叉梯度函數(shù),β表示交叉梯度權重因子。
4.根據權利要求3所述的方法,其中,所述交叉梯度函數(shù)的定義為一個給定三角形單元的重心T(x0,y0)與其相鄰的三個三角形的對應關系,A(x1,y1)、B(x2,y2)、C(x3,y3)分別為三個三角形的重心,交叉梯度函數(shù)t(mE,mC)的函數(shù)表現(xiàn)形式為:
其中,
其中mE1、mE2、mE3分別為所述三個相鄰三角形中的阻抗分布,mC1、mC2、mC3分別為所述三個相鄰三角形中的CT值分布。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,測量電壓的步驟包括:在待測部位設計多點分別輸入微量直流電流,在每一次輸入電流的同時,測量該待測部位的多點電壓值,改變電流輸入點,直至測量充分覆蓋該待測部位。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,步驟(1)中,注入電極以及測量電極的布設遵從對向驅動模式。
7.根據權利要求1所述的方法,其中,步驟(2)中,對于同一測量部位,在不同時間段重復獲取相同點的測量電壓。
8.根據權利要求1所述的方法,其中,步驟(4)中,所述交叉梯度函數(shù)采用在有限元下的表現(xiàn)形式。
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