[發(fā)明專利]一種TFT陣列基板的制備方法及TFT陣列基板、顯示面板

有效

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• 申請日: 2018-04-13
• 公開（公告）號: CN108573928B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅傳寶;姚江波
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種TFT陣列基板的制備方法，包括在一硬質(zhì)基板上沉積并形成柵極和柵極掃描線；繼續(xù)依次沉積柵極絕緣層、有源層和第二金屬層；在所述第二金屬層上沉積并形成第一光阻層和第二光阻層，所述第一光阻層包括厚度遞增的第一階光阻層、第二階光阻層和第三階光阻層，所述第一階光阻層設(shè)于所述第一光阻層的中部并形成一溝道；灰化處理以去除所述第一階光阻層，并經(jīng)刻蝕形成源極和漏極；灰化處理以去除所述第二階光阻層，然后整體沉積鈍化保護(hù)層；剝離所述第三階光阻層和所述第二光阻層，并沉積形成像素電極和公共電極。該制備方法采用3mask制備工藝，可簡化工藝流程，大幅提高設(shè)備產(chǎn)能和利用率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及柔性顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種TFT陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)

目前，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)已成為主流顯示器之一。TFT-LCD上的每個(gè)液晶像素點(diǎn)都是由集成在像素點(diǎn)后面的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)來驅(qū)動(dòng)，從而可以做到高速度、高亮度、高對比度顯示屏幕信息。TFT-LCD的制作大致可分為TFT陣列(Array)工序、液晶單元工序、液晶模塊工序三類；其中，TFT陣列工序?qū)σ壕姘屣@示性能的存在重要影響，TFT陣列工序?qū)γ姘逯苽涑杀镜挠绊懹葹橥怀觥?/p>

在制備TFT陣列基板的TFT陣列工序中，如半導(dǎo)體集成電路般使用光罩(mask)的多次的光刻程序是不可欠缺的。TFT陣列基板的制備工藝經(jīng)歷了從7次光刻技術(shù)到目前的5或4道光罩技術(shù)的發(fā)展過程；并且，5或4道光罩技術(shù)仍是當(dāng)今TFT陣列基板制備的主流工藝。其中，在原有5道光罩工序基礎(chǔ)上，利用灰色調(diào)光刻技術(shù)，將有源層和漏極的光刻合并為一道光罩，形成日趨成熟的4道光罩光刻工藝。然而，隨著顯示面板市場對TFT陣列基板的需求量日益增長，對TFT陣列基板產(chǎn)能效率的要求也日趨嚴(yán)格。

因此，有必要開發(fā)一種工藝流程顯著簡化，設(shè)備產(chǎn)能和利用率大幅提高的TFT陣列基板的制備工藝。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT陣列基板的制備方法，所述制備方法采用3mask制備工藝，可顯著簡化工藝流程，大幅提高設(shè)備產(chǎn)能和利用率。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種TFT陣列基板的制備方法，包括：

提供一硬質(zhì)基板，在所述硬質(zhì)基板上沉積第一金屬層，圖案化處理形成柵極和柵極掃描線；

在所述柵極和柵極掃描線上依次沉積柵極絕緣層、有源層和第二金屬層；

在所述第二金屬層上涂布光阻材料，圖案化處理形成第一光阻層和第二光阻層，所述第一光阻層包括第一階光阻層、第二階光阻層和第三階光阻層，所述第二階光阻層的厚度大于所述第一階光阻層，所述第三階光阻層的厚度大于所述第二階光阻層，所述第一階光阻層設(shè)于所述第一光阻層的中部并形成一溝道，所述第二光阻層的厚度大于所述第二階光阻層；

對所述溝道外側(cè)的未被所述第一光阻層和所述第二光阻層覆蓋的所述第二金屬層、所述有源層和所述柵極絕緣層進(jìn)行刻蝕以使所述硬質(zhì)基板暴露；

對所述第一光阻層和所述第二光阻層進(jìn)行灰化處理，去除所述第一階光阻層，并經(jīng)刻蝕形成源極和漏極；

對所述第二階光阻層、所述第三階光阻層和所述第二光阻層進(jìn)行灰化處理，去除所述第二階光阻層，然后整體沉積鈍化保護(hù)層；

剝離所述第三階光阻層和所述第二光阻層，并沉積透明導(dǎo)電層，圖案化處理后形成像素電極和公共電極。

可選地，所述有源層包括依次在所述柵極絕緣層上的第一非晶硅膜和第二非晶硅膜，所述第一非晶硅膜置于所述柵極絕緣層與所述第二非晶硅膜之間。

可選地，所述第一非晶硅膜的材質(zhì)包括無定形硅；所述第二非晶硅膜的材質(zhì)包括雜質(zhì)離子摻雜的無定形硅。