[發明專利]一種TFT陣列基板的制備方法及TFT陣列基板、顯示面板

有效

• 申請號: 201810333074.5
• 申請日: 2018-04-13
• 公開（公告）號: CN108573928B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 羅傳寶;姚江波
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一硬質基板，在所述硬質基板上沉積第一金屬層，圖案化處理形成柵極和柵極掃描線；

在所述柵極和柵極掃描線上依次沉積柵極絕緣層、有源層和第二金屬層；

在所述第二金屬層上涂布光阻材料，圖案化處理形成第一光阻層和第二光阻層，所述第一光阻層包括第一階光阻層、第二階光阻層和第三階光阻層，所述第二階光阻層的厚度大于所述第一階光阻層，所述第三階光阻層的厚度大于所述第二階光阻層，所述第一階光阻層設于所述第一光阻層的中部并形成一溝道，所述第二光阻層的厚度大于所述第二階光阻層；

對所述溝道外側的未被所述第一光阻層和所述第二光阻層覆蓋的所述第二金屬層、所述有源層和所述柵極絕緣層進行刻蝕以使所述硬質基板暴露；其中，采用濕刻蝕工藝對未被所述光阻材料覆蓋的所述第二金屬層進行刻蝕；然后采用干法刻蝕對暴露的所述有源層和所述柵極絕緣層進行刻蝕；

對所述第一光阻層和所述第二光阻層進行灰化處理，去除所述第一階光阻層，并經刻蝕形成源極和漏極；

對所述第二階光阻層、所述第三階光阻層和所述第二光阻層進行灰化處理，去除所述第二階光阻層，然后整體沉積鈍化保護層；

剝離所述第三階光阻層和所述第二光阻層，并沉積透明導電層，圖案化處理后形成像素電極和公共電極。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述有源層包括依次在所述柵極絕緣層上的第一非晶硅膜和第二非晶硅膜，所述第一非晶硅膜置于所述柵極絕緣層與所述第二非晶硅膜之間。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第一非晶硅膜的材質包括無定形硅；所述第二非晶硅膜的材質包括雜質離子摻雜的無定形硅。

4.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述經刻蝕形成源極和漏極的過程包括刻蝕所述第一階光阻層覆蓋的所述第二金屬層和刻蝕所述第二非晶硅膜。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對所述溝道外側的未被所述第一光阻層和所述第二光阻層覆蓋的所述第二金屬層進行刻蝕后，所述第二光阻層覆蓋的所述第二金屬層形成數據線層。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述柵極掃描線和所述數據線層間通過所述公共電極橋接。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述透明導電層的材質包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物和銦鎵鋅氧化物中的一種或多種。

8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鈍化保護層的材質包括氮化硅和氧化硅中的一種或多種。

9.一種如權利要求1-8任意一項所述制備方法制備的TFT陣列基板。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權利要求1-8任意一項所述制備方法制備的TFT陣列基板。