[發明專利]一種繞線型金屬氧化膜電阻器及加工工藝在審
| 申請號: | 201810330912.3 | 申請日: | 2018-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN108335810A | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發明(設計)人: | 帥冬生 | 申請(專利權)人: | 東莞市創嘉電子有限公司 |
| 主分類號: | H01C1/034 | 分類號: | H01C1/034;H01C1/036;H01C1/144;H01C1/148;H01C1/16;H01C3/20;H01C7/00;H01C17/00 |
| 代理公司: | 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 朱曉光 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬端帽 電阻絲 絕緣層 金屬氧化膜電阻器 金屬氧化膜電阻 繞線型 焊接點 涂覆 焊接 電路板 絕緣包裹層 線繞電阻器 表面涂覆 電阻介質 功率擴大 斷路 電阻器 上空間 陶瓷芯 右端頭 左端頭 超限 燒斷 爆炸 傷害 污染 安全 | ||
本發明公開了一種繞線型金屬氧化膜電阻器及加工工藝,包括一陶瓷芯的圓周表面涂覆有金屬氧化膜電阻層,在金屬氧化膜電阻層上涂覆絕緣層,絕緣層之外繞有電阻絲;電阻絲的左端頭與左金屬端帽在左焊接點處焊接和右端頭與右金屬端帽在右焊接點處焊接之后,在電阻絲、左金屬端帽和右金屬端帽之外表面涂覆絕緣包裹層。本發明提供的繞線型金屬氧化膜電阻器及加工工藝,與傳統線繞電阻器相比,相同的體積,功率擴大一倍,在遇到電流嚴重超限,由于金屬氧化膜電阻層、絕緣層和電阻絲的三重包裹,電阻介質燒斷時本發明的電阻器只會斷路不通,不會出現劇烈的爆炸現象,不會對其他器件造成傷害,也不會污染電路板上空間環境,大大增強了使用運行安全。
技術領域
本發明涉及電子元器件制造技術,尤其涉及電阻器的制造技術,特別是繞線型金屬氧化膜電阻器及加工工藝。
背景技術
現有技術中,較大功率的電阻器多為繞線電阻,即在純粹的陶瓷棒上繞制電阻絲,然后封裝。
上述功率電阻器有一個致命的缺點:一旦過流,即在電阻兩端所施加的電壓超過額定值較多時,在電阻器中間部位,因散熱較兩端為差,此時的電阻絲成了電熱絲,會燒紅,而陶瓷棒在局部劇烈加熱的情況下會炸裂斷開,電阻絲沒有了依托和導熱體,進一步發熱,會燒斷;于是在該電阻器的周圍就形成“爆炸現場”,會危及其他電子元器件安全,這是人們所希望克服的弊端。
回顧電阻器的制造工藝,德國維斯海電子有限公司申請的中國發明專利,201180057749 . 4號,名稱為“電氣功率電阻器”所述公開的技術方案為:一種具有多個金屬電阻器板的堆疊的電氣功率電阻器。每一電阻器板具有至少一個曲折結構,該曲折結構是由多個間隔地相互連接的橫向腹板所形成。在堆疊方向彼此相接的電阻器板相對于彼此旋轉 90o 。
分析該專利技術,可知該電阻器是超大型器件,不是可以焊接在電路板上的電子器件。
再如,德國賀利氏傳感技術有限公司申請的200810148837 . 5號中國發明專利,名稱為“涂覆線和薄膜電阻器”,該發明在保持內核和涂層的分離的相的同時,具有軟焊料的涂覆線是可焊接的。根據本發明,用銀電鍍涂覆 100 μm ~400μm 厚的鎳線。該發明的涂層是由銀或玻璃或陶瓷或這些材料的混合物制成的,涂層的外側是由玻璃或陶瓷或這些材料的混合物制成的。
分析該專利技術,認為該技術與本發明所要解決的問題不同,即目的不同。
再如,東莞市福德電子有限公司所申請的201010280534.6號發明專利,名稱為一種高阻值金屬氧化膜電阻及其制作方法,其技術方案為“高阻值金屬氧化膜電阻包括一陶瓷基體、形成在所述陶瓷基體上的皮膜、位于陶瓷基體兩端的鐵帽以及引線,所述皮膜包括內層皮膜和外層皮膜,其中內層皮膜由靶材通過真空直流濺射形成,外層皮膜由靶材通過離子電源加射頻濺射形成。本發明可制得獨特的雙層膜結構電阻體,外層皮膜實際上是一層致密的金屬氧化膜,對內層皮膜起到很好的保護作用,避免其被進一步氧化;同時內層皮膜與外層皮膜之間形成并聯關系,能使電阻器的阻值獲得更大的可調節范圍;因此,本發明制成的金屬氧化膜電阻器性能穩定,精密度高,阻值可超過100KΩ,高達3.9 兆歐。”
通過分析可以看出,該專利是與本專利申請最為接近的技術,但其工藝雖然是涂覆兩層金屬氧化膜電阻層,由于兩層之間并不絕緣,且涂覆工藝也都相同,僅是濺射材料不同,實際上可以將兩層濺射涂覆看成為一層,因為兩層之間并無明顯的界限,依該專利的發明目的所言,外層金屬氧化膜主要是為了包裹內層,使內層不被氧化,那么可以理解為在一層金屬氧化膜之外涂覆外包裹層,該電阻器的性能并無新意,更主要的,該電阻器的方案適于極高阻值幾百KΩ~若干MΩ的電阻器,在如此大的阻值下,電子裝置中罕見使用幾十萬伏高電壓的情況,根本不會出現電流過大燒斷電阻的問題。
而本發明專利所面對是幾個歐姆以下低阻值電阻被大電流燒斷后,如何實現不爆炸的問題。
所以該專利技術方案對解決“低阻值電阻被大電流燒斷后,如何實現不爆炸的問題”沒有借鑒意義。
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