[發(fā)明專利]發(fā)射器與接收器電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810330514.1
• 申請日: 2018-04-13
• 公開（公告）號: CN109245758B
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發(fā)明（設計）人: 樸鴻濬;林志勛;鄭海康
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司;浦項工科大學校產學協(xié)力團
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;H03K19/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

一種電路可以包括：發(fā)射器，其用于產生指示輸入數(shù)據(jù)的信號；片上通道，其用于傳輸來自發(fā)射器的信號；以及接收器，其包括接收端子并具有負電阻值作為接收端子的輸入電阻，接收器用于基于經由片上通道的傳輸信號來產生指示恢復數(shù)據(jù)的信號。該電路可以使用電荷再循環(huán)來再循環(huán)儲存在片上通道中的電荷的一部分，電荷再循環(huán)與輸入電阻的負電阻值相關聯(lián)。

相關申請的交叉引用

本申請要求2017年7月11日提交的申請?zhí)枮?0-2017-0087662的韓國專利申請的優(yōu)先權，其公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

本公開的各種實施例涉及發(fā)射器和接收器，更具體地，涉及包括針對片上通道的發(fā)射器和接收器的電路，該發(fā)射器和接收器在多芯片封裝體中的半導體芯片之間發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。

背景技術

半導體技術的發(fā)展已經減小了半導體芯片面積，但并未顯著減少半導體芯片之間的通信所需的引腳數(shù)量。此外，半導體芯片之間的通信需要芯片焊盤和片外通道線。為了克服減少引腳數(shù)量的限制，已經開發(fā)了在一個封裝體中包括多個半導體芯片的多芯片封裝體。

這種多芯片封裝體在一個封裝體中包括相同類型或不同類型的芯片，并且在封裝體內執(zhí)行通信。因此，多芯片封裝體經由包括硅插入層、穿通硅通孔(TSV)或兩者的片上通道來發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。硅插入層用于在經由最近的工藝制造并且層疊在可以使用較早的工藝制造的硅襯底之上的半導體芯片之間執(zhí)行通信。在使用硅插入層的2.5D集成中，由于核心半導體芯片的數(shù)量增加和/或整個封裝體的芯片尺寸增大，片上通道的長度可以增大。片上通道的長度的這種增大會增大片上通道的寄生電阻和寄生電容。結果，會減小片上通道的帶寬，同時增加功耗。

TSV制造是指通過在層疊的半導體芯片中形成大量(例如，數(shù)百個)孔并且經由一個或更多個電極垂直耦接相鄰的半導體芯片來以3D集成層疊多個半導體芯片的技術，使得半導體芯片可以彼此通信。此時，由于在數(shù)百MHz的帶寬中使用大量TSV，因此降低每個TSV的功耗是重要的。特別是，由于移動應用具有電池限制，因此期望降低移動應用中每個TSV的功耗。

因此，期望的是：針對片上通道的發(fā)射器和接收器可以在多芯片封裝體中的半導體芯片之間的通信期間，增大用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸挷⑶医档凸摹?/p>

發(fā)明內容

各種實施例針對包括用于片上通道的發(fā)射器和接收器的電路，其在多芯片封裝體中的半導體芯片之間的通信期間，能夠增大用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸挷⑶医档凸摹?/p>

在一個實施例中，一種電路可以包括：發(fā)射器，其適用于產生指示輸入數(shù)據(jù)的信號；片上通道，其適用于傳輸來自發(fā)射器的信號；以及接收器，其包括接收端子并具有負電阻值作為接收端子的輸入電阻，接收器適用于基于經由片上通道的傳輸信號來產生指示恢復數(shù)據(jù)的信號。該電路可以使用電荷再循環(huán)來再循環(huán)儲存在片上通道中的電荷的一部分，電荷再循環(huán)與輸入電阻的負電阻值相關聯(lián)。

在一個實施例中，一種電路可以包括：復制電路，其與包括片上通道的電路相對應，復制電路適用于提供差分輸出信號；比較器，其適用于將復制電路的差分輸出信號進行比較；以及控制信號發(fā)生器，其適用于響應于比較器的比較結果來產生控制信號。根據(jù)控制信號，復制電路的復制接收器的接收端子和電路的接收器的接收端子中的每一個可以被控制為具有負電阻值作為輸入電阻。

在一個實施例中，一種電路可以包括：發(fā)射器，其適用于產生指示輸入數(shù)據(jù)的信號；片上通道，其適用于傳輸信號；接收器，其具有接收端子并具有負電阻值作為接收端子的輸入電阻，接收器適用于從經由片上通道的傳輸信號中恢復數(shù)據(jù)；以及工藝-電壓-溫度(PVT)補償復制電路，其包括復制電路，該復制電路包括分別與發(fā)射器、片上通道和接收器相對應的電路，PVT補償復制電路適用于控制接收器的接收端子和復制電路的復制接收器的接收端子，以具有負電阻值作為輸入電阻。

附圖說明

圖1是根據(jù)一個實施例的電路的框圖。