[發明專利]發射器與接收器電路

有效

• 申請號: 201810330514.1
• 申請日: 2018-04-13
• 公開（公告）號: CN109245758B
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發明（設計）人: 樸鴻濬;林志勛;鄭海康
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司;浦項工科大學校產學協力團
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;H03K19/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

1.一種用于半導體芯片的電路，包括：

發射器，其適用于產生指示輸入數據的信號；

片上通道，其適用于傳輸來自發射器的信號；以及

接收器，其包括接收端子并且所述接收端子具有負電阻值作為接收端子的輸入電阻，接收器適用于基于經由片上通道的傳輸信號來產生指示恢復數據的信號，

其中，電路使用由輸入電阻的負電阻值引起的電荷再循環來再循環儲存在片上通道中的電荷的一部分，

其中，電路再循環如下電荷：儲存在片上通道的具有第一長度的第一部分中的通道電荷，第一部分從片上通道的電阻值變為零的點延伸到接收端子；以及儲存在片上通道的具有與第一長度基本上相同的長度的第二部分中的通道電荷，第二部分從所述點向發射器延伸。

2.根據權利要求1所述的電路，其中，發射器產生具有輸出電壓擺幅電平的信號，所述輸出電壓擺幅電平通過電荷再循環來確定，所述信號為差分信號，并且發射器對差分信號執行電容器型均衡。

3.根據權利要求1所述的電路，其中，接收器包括具有交叉耦合結構的跨阻抗放大器TIA，以及

其中，TIA包括晶體管，通過調整晶體管的尺寸來控制輸入電阻的負電阻值。

4.根據權利要求1所述的電路，還包括：工藝-電壓-溫度PVT補償復制電路，其適用于響應于PVT變化來控制接收端子的輸入電阻的負電阻值。

5.根據權利要求4所述的電路，其中，PVT補償復制電路包括：

復制電路，其包括分別與發射器、片上通道和接收器相對應的電路；

比較器，其適用于將復制電路的差分輸出信號進行比較并且輸出比較信號；以及

控制信號發生器，其適用于響應于比較信號來產生控制信號；

其中，接收器包括具有交叉耦合結構的跨阻抗放大器TIA，以及

其中，TIA包括晶體管，根據控制信號來調整晶體管的尺寸，根據晶體管的調整尺寸來控制輸入電阻的負電阻值。

6.根據權利要求1所述的電路，其中，從發射器看的電阻值是片上通道的電阻值與接收端子的負電阻值之和。

7.根據權利要求1所述的電路，其中，發射器包括：

電流模式驅動器，其適用于產生指示輸入數據的信號；以及

電容器型均衡器，其適用于使在電流模式驅動器的輸出端子處的差分信號均衡。

8.根據權利要求1所述的電路，其中，接收器包括：

跨阻抗放大器TIA，其適用于放大經由片上通道傳輸的信號；以及

比較器，其適用于將TIA的輸出信號進行比較并且輸出恢復數據；

其中，TIA包括具有交叉耦合結構的PMOS晶體管和NMOS晶體管，

其中，TIA的每個PMOS晶體管具有可調整的尺寸，通過調整PMOS晶體管的尺寸來控制接收端子的輸入電阻的負電阻值。

9.根據權利要求1所述的電路，其中，發射器和接收器被包括在多芯片封裝體的一個或更多個半導體芯片中，并且片上通道包括硅插入層、穿通硅通孔TSV或兩者。