[發明專利]用于形成復合層的方法和具有復合層的工件在審
| 申請號: | 201810330464.7 | 申請日: | 2018-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN108735613A | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發明(設計)人: | J·克里希南;K·T·樓;H·L·李;S·K·穆魯甘;J·納拉亞納薩米 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L23/367 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 奧地利;AT |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合層 金屬表面 沉積 半導體設備 第二材料 第一材料 垂直方向延伸 基質復合 填充材料 真空處理 壁區域 | ||
公開了一種用于在工件上形成復合層的方法和一種具有復合層的工件。在實施例中,通過將第一材料沉積在半導體設備或工件上然后將第二材料沉積在第一材料上來形成復合層。在另一實施例中,工件是半導體設備。在另一實施例中,方法包括圍繞金屬表面形成壁,使得壁從由金屬表面形成的平面沿垂直方向延伸,并且將填充材料沉積在金屬表面上的有壁區域中。在進一步的實施例中,對第一和第二材料執行真空處理,從而形成設置在金屬表面上的基質復合層。
相關申請的交叉引用
本申請是于2017年4月13日提交的美國專利申請No.15/486907的部分繼續申請,該美國專利申請通過引用的方式特此并入本文。
技術領域
概括而言,本公開內容涉及半導體部件和用于生產半導體部件的方法,具體而言,涉及包括用于將半導體部件附接到散熱體(heat sink)的單元的半導體部件。
背景技術
半導體部件通常被封裝并且然后安裝到印刷電路板。半導體部件還可以耦合到散熱體,其中,散熱體被配置為耗散由半導體部件產生的熱量。關于可以如何將半導體部件安裝到散熱體,若干種不同的方式是已知的。然而,這樣的安裝方法通常昂貴、需要大量空間、并且需要一個或多個附加的過程步驟以將部件安裝到散熱體。對提供一種可以以降低的成本并以減少的努力而容易地安裝到另一部件(例如,散熱體)的半導體部件存在需求。
發明內容
一個示例涉及一種方法。所述方法包括在半導體封裝的外表面上形成第一導熱層。在半導體封裝的外表面上形成的第一導熱層被配置為安裝到外部散熱體。
另一示例涉及一種半導體部件。所述半導體部件包括半導體封裝,其具有外表面和布置在半導體封裝的外表面上的第一導熱層。其上布置有第一導熱層的半導體部件被配置為安裝到外部散熱體,使得第一導熱層面向散熱體。
本發明的實施例公開了一種方法,其包括:圍繞金屬表面形成壁,使得壁從由工件的金屬表面形成的平面沿垂直方向延伸;將填充材料沉積在金屬表面上的有壁區域中;將塑料材料沉積在填充材料上;并且對填充材料和塑料材料執行真空處理,從而形成設置在金屬表面上的基質復合層。
本發明的另外的實施例公開了一種方法,其包括用夾持器夾住工件的側壁,將填充材料沉積在工件的金屬表面上,將塑料材料沉積在填充材料上,并且對填充材料和塑料材料執行真空處理,從而形成設置在金屬表面上的基質復合層。
本發明的進一步的實施例公開了一種裝置,其包括具有粗糙化的金屬表面的散熱體和設置在粗糙化的金屬表面上的基質復合層,其中,基質復合層包括陶瓷填充材料和塑料材料,并且其中,陶瓷填充材料包括二維或三維顆粒、薄片、凝聚顆粒或其組合。
本領域技術人員在閱讀以下詳細描述并查看附圖后將認識到附加的特征和優點。
附圖說明
以下參考附圖解釋示例。附圖用于說明某些原理,從而僅示出了對于理解這些原理而言必要的方面。附圖沒有按比例繪制。在附圖中,相同的附圖標記表示類似的特征。
圖1示意性地示出了安裝到散熱體的半導體部件的側視圖;
圖2示意性地示出了圖1的半導體部件和散熱體的俯視圖;
圖3示意性地示出了可借助于螺釘安裝到散熱體的半導體部件的側視圖;
圖4示意性地示出了借助于直接銅接合安裝到散熱體的半導體部件;
圖5示意性地示出了被配置為安裝到散熱體的半導體部件的示例實施例的側視圖;
圖6示意性地示出了根據本發明的一個示例的用于生產半導體部件的方法;
圖7示例性地示出了用于電泳沉積的布置。
圖8示意性地示出了電泳沉積過程的一個示例;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英飛凌科技奧地利有限公司,未經英飛凌科技奧地利有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810330464.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種半導體二極管生產設備
- 下一篇:半導體裝置及半導體裝置的制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





