[發明專利]用于形成復合層的方法和具有復合層的工件

在審

• 申請號: 201810330464.7
• 申請日: 2018-04-13
• 公開（公告）號: CN108735613A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: J·克里希南;K·T·樓;H·L·李;S·K·穆魯甘;J·納拉亞納薩米
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L23/367
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種方法，包括：

在半導體封裝的外表面上形成第一導熱層，其中，形成所述第一導熱層包括：

將第一材料沉積在所述半導體封裝的所述外表面上；以及

在沉積所述第一材料之后將第二材料沉積在所述第一材料上。

2.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述第一導熱層包括電泳沉積過程。

3.如權利要求1所述的方法，其中，沉積所述第一材料包括在所述半導體封裝的所述外表面上形成多孔預制層。

4.如權利要求3所述的方法，其中，所述多孔預制層包括空腔，并且將所述第二材料沉積在所述第一材料上包括至少部分地填充所述預制層的所述空腔。

5.如權利要求1所述的方法，其中，沉積所述第一材料包括電泳沉積過程。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一材料包括以下各項中的至少一項：

氮化硼，

氧化鋁，

碳化硅，

二氧化硅，或

包括氧化物或氮化物組合的陶瓷材料。

7.如權利要求1所述的方法，其中，將所述第二材料沉積在所述第一材料上包括電泳沉積過程、電涂覆過程、分配方法、靜電噴涂方法或浸漬方法中的至少一者。

8.如權利要求1所述的方法，其中，所述第二材料包括具有或不具有填充物或聚合物的導熱材料。

9.如權利要求1所述的方法，還包括：

在沉積所述第一材料之后，對所述第一材料進行燒結。

10.如權利要求1所述的方法，在沉積所述第二材料之后還包括以下步驟中的至少一者：

對所述第一材料和所述第二材料進行加熱；或者

將所述第一材料和所述第二材料暴露于真空。

11.如權利要求1所述的方法，其中，沉積在所述半導體封裝的所述外表面上的所述第一材料具有第一厚度，并且其中，所述第一導熱層的導熱性取決于所述第一厚度。

12.如權利要求1所述的方法，其中，所述半導體封裝的所述外表面包括導電表面。

13.如權利要求12所述的方法，其中，所述導電表面是所述半導體封裝的散熱體或管芯焊盤。

14.如權利要求12所述的方法，其中，形成所述第一導熱層包括將直流電流施加于所述導電表面。

15.如權利要求1所述的方法，其中，形成于所述半導體封裝的所述外表面上的所述第一導熱層被配置為安裝到外部散熱體。

16.一種半導體部件，包括：

具有外表面的半導體封裝；以及

布置在所述半導體封裝的所述外表面上的第一導熱層，其中，所述第一導熱層包括第一材料和設置在所述第一材料上的第二材料，所述第一材料包括設置在所述半導體封裝的所述外表面上的多孔預制層。

17.如權利要求16所述的半導體部件，其中，所述第一材料包括以下各項中的至少一項：

氮化硼，

氧化鋁，

碳化硅，

二氧化硅，或

包括氧化物或氮化物組合的陶瓷材料。

18.如權利要求16所述的半導體部件，其中，所述第二材料包括：

具有或不具有填充物的導熱材料；或

聚合物。

19.如權利要求16所述的半導體部件，其中所述外表面包括導電表面。