[發明專利]一種內嵌式基板系統級封裝結構及制作方法

在審

• 申請號: 201810329808.2
• 申請日: 2018-04-13
• 公開（公告）號: CN110379794A
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 袁禧霙;王東傳;侯竣元;何松濂;張鳳逸
• 申請（專利權）人: 宏濂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/54;H01L21/52;H01L21/60
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

1.一種內嵌式基板系統級封裝結構，其特征在于，包括：

一第一基板、一第二基板、一基板間介電層、一上介電層以及一下介電層；

其中，所述第一基板中設置有多個基板穿導孔，且在其上下表面上各形成一導電線路層；

所述第二基板中設置有多個基板穿導孔，且在其下表面上形成一導電線路層，所述第二基板中還設置有一容置空間，且包含一芯片設置于所述容置空間內，所述容置空間的四周包含一芯片隔離介電層；

所述基板間介電層設置于所述第一基板與所述第二基板之間，包含多個穿導孔，所述穿導孔內提供容置一導電墊，所述導電墊提供所述第二基板的芯片與所述第一基板下表面的導電線路層的電性連接；

所述下介電層覆蓋于所述第二基板的下表面，包含多個穿導孔，所述穿導孔內提供容置一鉛錫凸塊，所述鉛錫凸塊包含一錫鉛球與一球下冶金層；以及所述上介電層設置于所述第一基板的上表面，包含多個穿導孔，所述穿導孔內提供容置一導電塊或一鉛錫凸塊，所述鉛錫凸塊包含一錫鉛球與一球下冶金層。

2.根據權利要求1所述的內嵌式基板系統級封裝結構，其特征在于，所述內嵌式基板系統級封裝結構還包含設置于所述上介電層、所述下介電層上的多個電子元件，其中所述上介電層、所述下介電層的穿導孔內的導電塊或鉛錫凸塊提供所述第一基板上表面的導電線路層與所述多個電子元件之間的電性連接，以及所述第二基板下表面的導電線路層與所述多個電子元件之間的電性連接。

3.根據權利要求1所述的內嵌式基板系統級封裝結構，其特征在于，所述基板間介電層的多個穿導孔內的導電墊包含一鋁墊，所述鋁墊與所述第二基板的容置空間內芯片電性連接。

4.一種內嵌式基板系統級封裝結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一第一基板與一第二基板，其中所述第一基板中設置有多個基板穿導孔，且在其上下表面上各形成一導電線路層，所述上表面的導電線路層上設置一上介電層，所述上介電層包含多個穿導孔，所述穿導孔內可提供容置一球下冶金層；所述第二基板中設置有多個基板穿導孔，且在其下表面上形成一導電線路層，所述第二基板中還設置有一容置空間，所述容置空間的四周包含一芯片隔離介電層；

將所述第一基板與所述第二基板進行對位后黏合；

將一芯片置入所述容置空間內，并將所述芯片與所述第一基板下表面的導電線路層進行電性連接；

在所述第一基板與所述第二基板之間進行填膠；以及

在所述第二基板的下表面形成一下介電層，所述下介電層包含多個穿導孔，所述穿導孔內可提供容置一球下冶金層；在所述上介電層、所述下介電層的穿導孔或球下冶金層上設置導電墊或一錫鉛球。

5.根據權利要求4所述的內嵌式基板系統級封裝結構的制作方法，其特征在于，黏合所述第一基板與所述第二基板的步驟包括：利用一具有黏性的介電材料黏合所述第一基板與所述第二基板。

6.根據權利要求4所述的內嵌式基板系統級封裝結構的制作方法，其特征在于，黏合所述第一基板與所述第二基板進行填膠的步驟包括：利用一具有黏性的介電材料注入所述第一基板與所述第二基板之間以填充所述第一基板與所述第二基板之間的空隙。

7.根據權利要求4所述的內嵌式基板系統級封裝結構的制作方法，其特征在于，所述芯片以芯片倒置方式置入所述容置空間內。

8.根據權利要求4所述的內嵌式基板系統級封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括以下步驟：將多個電子元件焊接于所述上介電層、所述下介電層的穿導孔或球下冶金層所設置的導電墊或一錫鉛球上，以進行電性連接。