[發(fā)明專利]一種內(nèi)嵌式基板系統(tǒng)級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810329808.2
• 申請(qǐng)日: 2018-04-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110379794A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁禧霙;王東傳;侯竣元;何松濂;張鳳逸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 宏濂科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L21/54;H01L21/52;H01L21/60
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

本發(fā)明提供一種內(nèi)嵌式基板系統(tǒng)級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及制作方法，其中封裝結(jié)構(gòu)包含：一第一基板、一第二基板、一基板間介電層、一上介電層以及一下介電層；其中，第一基板的上下表面上各形成一導(dǎo)電線路層；第二基板的下表面形成一導(dǎo)電線路層，且第二基板還設(shè)置有一容置空間以容置一芯片，容置空間的四周包含一芯片隔離介電層；基板間介電層設(shè)置于第一基板與第二基板之間，包含多個(gè)穿導(dǎo)孔，提供第二基板的芯片與第一基板下表面的導(dǎo)電線路層的電性連接；下介電層覆蓋于第二基板的下表面，包含多個(gè)穿導(dǎo)孔以容置一導(dǎo)電塊；上介電層設(shè)置于第一基板的上表面，包含多個(gè)穿導(dǎo)孔以容置一導(dǎo)電塊。本發(fā)明技術(shù)方案的制作方式簡(jiǎn)單，可提高制作效率，滿足應(yīng)用需求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種內(nèi)嵌式基板系統(tǒng)級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及制作方法。

背景技術(shù)

系統(tǒng)級(jí)封裝(System-in-Package，SiP)為一種封裝的概念，是基于系統(tǒng)芯片(System-on-Chip，SoC)所發(fā)展出來(lái)的一種封裝技術(shù)；基本上，SiP可定義為：在一IC包裝體中，包含一個(gè)或多個(gè)芯片，加上被動(dòng)元件、電容、電阻、連接器、天線…等任一元件以上的封裝；換言之，就結(jié)構(gòu)而言，SiP就是在一個(gè)封裝內(nèi)不僅可以組裝多個(gè)芯片，還可以將包含上述不同類型的器件和電路芯片以2D、3D的方式疊在一起，結(jié)合在一個(gè)封裝體內(nèi)；就功能性而言，SiP則是將一個(gè)系統(tǒng)或子系統(tǒng)(sub-system)的全部或大部份電子功能配置在一個(gè)整合型基板內(nèi)，以構(gòu)建成更為復(fù)雜的、完整的系統(tǒng)。

SiP一般而言包括了許多不同的技術(shù)，例如：多芯片模塊(Multi-chip Module，MCM)技術(shù)、多芯片封裝(Multi-chip Package，MCP)技術(shù)、芯片堆棧(Stack Die)、PoP(Package on Package)、PiP(Package in Package)，以及將主/被動(dòng)元件埋于基板(Embedded Substrate)等技術(shù)。以結(jié)構(gòu)外觀來(lái)說(shuō)，MCM屬于2D架構(gòu)，而MCP、Stack Die、PoP、PiP等則屬于3D架構(gòu)。

由于SiP具有微型化、可異質(zhì)整合(Heterogeneous Integration)、可降低系統(tǒng)板成本、可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，顯著減小封裝體積、重量，可降低功耗，以及可提升產(chǎn)品效能等優(yōu)點(diǎn)，因而在近年來(lái)備受業(yè)界青睞。SiP可以廣泛應(yīng)用于光通信、傳感器以及MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微機(jī)電系統(tǒng))等多項(xiàng)領(lǐng)域；例如，以智能型手機(jī)而言，要有整合性功能、易于聯(lián)網(wǎng)、輕薄短小方便攜帶等需求，因此，其IC內(nèi)要以更先進(jìn)制程整合更多功能，SiP的優(yōu)勢(shì)更是具有競(jìng)爭(zhēng)力。

由于封測(cè)廠商積極發(fā)展SiP技術(shù)，因此吸引部分IC基板業(yè)者開(kāi)始聚焦SiP所帶來(lái)的商機(jī)。IC基板埋入主被動(dòng)元件而成為SiP基板，在更薄的載板空間內(nèi)埋入IC，亦逐漸成為發(fā)展趨勢(shì)。未來(lái)，在行動(dòng)裝置、穿戴式與物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用下，SiP基板將為IC基板廠商帶來(lái)另一波成長(zhǎng)動(dòng)能。

現(xiàn)有的內(nèi)嵌式基板系統(tǒng)級(jí)封裝制程先在一底板(base)上形成對(duì)準(zhǔn)鍵(alignmentkey)，再將一基板(substrate)與相關(guān)晶粒(die)置放在該底板上，經(jīng)過(guò)填膠后再放置另一基板，最后以重分布制程(redistribution layer，RDL)將鋁墊(Al Pad)與基板線路連接。

發(fā)明內(nèi)容