[發明專利]培養基及其在中央記憶型T淋巴細胞培養中的應用

有效

• 申請號: 201810325698.2
• 申請日: 2018-04-12
• 公開（公告）號: CN108486055B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 孫忠杰;陳立功;郭瀟;薛慶磊;左慧晶;劉慶軍;馬駿凡
• 申請（專利權）人: 諾未科技（北京）有限公司;保定諾未科技有限公司
• 主分類號: C12N5/0783
• 分類號: C12N5/0783
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 溫可睿;趙青朵

1.一種培養基，其特征在于，由基礎培養基、0.1μmol/L～10μmol/L依維莫司、5×10⁴U/L～1×10⁶U/L白細胞介素-2、1ng/mL～60ng/mL白細胞介素-7、1ng/mL～100ng/mL白細胞介素-12、1ng/mL～60ng/mL白細胞介素-15、1ng/mL～60ng/mL白細胞介素-1a、1ng/mL～100ng/mL Anti-CD3抗體和1ng/mL～100ng/mL Anti-CD28抗體組成。

2.根據權利要求1所述的培養基，其特征在于，所述基礎培養基為GT-T551培養基。

3.權利要求1所述的培養基在中央記憶型T淋巴細胞分離培養中的應用。

4.一種中央記憶型T淋巴細胞的分離培養方法，其特征在于，

以權利要求1所述的培養基重懸外周血單個核細胞后培養，每隔2～4天補加新鮮的權利要求1所述的培養基。

5.根據權利要求4所述的分離培養方法，其特征在于，所述重懸至外周血單個核細胞的密度為1×10⁵個/mL～1×10⁶個/mL。

6.根據權利要求4所述的分離培養方法，其特征在于，所述補加至細胞密度為0.5×10⁶個/mL～2.5×10⁶個/mL。

7.根據權利要求4所述的分離培養方法，其特征在于，所述培養至細胞鋪滿培養容器的底部，然后傳代；所述傳代包括，將貼壁細胞以權利要求1所述的培養基重懸后繼續培養。