[發明專利]光刻模型生成方法以及OPC修正方法

有效

• 申請號: 201810322842.7
• 申請日: 2018-04-11
• 公開（公告）號: CN110361927B
• 公開（公告）日: 2023-02-10
• 發明（設計）人: 杜杳雋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明揭示了一種光刻模型生成方法及OPC修正方法，本發明提供的光刻模型生成方法包括：提供與光刻系統的弧形狹縫一致的弧形狹縫圖案；將弧形狹縫圖案沿徑向分為多個子狹縫，所述多個子狹縫為連續的；獲得每個子狹縫的子光刻模型；則晶圓上一個區域的光刻模型為該區域所對應的多個所述子狹縫的子光刻模型的平均值。由此，能夠正確的實現EUV光刻模型的建立，并且是生成了能夠實現與一整個弧形狹縫相符合的連續的光刻模型。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種光刻模型生成方法以及掩膜版制造方法。

背景技術

光刻是一種將所需圖形轉移至襯底上，從而在不同的區域建立圖形的工藝過程。具體地，光刻通過曝光將圖形成像到設置在襯底表面的光刻膠層(材料為光敏感的抗蝕劑)而實現圖形轉移。

隨著半導體技術的飛速發展，光刻所要曝光的圖形特征尺寸越來越小，要求光刻的分辨率越來越高，而光刻的分辨率主要體現在CD上，CD是待曝光圖形的特征尺寸(或臨界尺寸)。CD的減小可以由三種途徑實現：減小曝光波長、增大數值孔徑、或減小光刻因子。

為了通過減小曝光波長來獲得較小曝光圖形的特征尺寸，極紫外(ExtremeUltraviolet，EUV)光已被研究應用于光刻中。但是極紫外光刻過程中，設備上的狹縫為弧狀，不同于DUV(Deep Ultraviolet，深紫外)等光刻設備，因此，需要設計相對應的光刻模型來實現曝光過程。

發明內容

本發明的目的在于提供一種光刻模型生成方法以及OPC修正方法，較好的實現EUV光刻。

為解決上述技術問題，本發明提供一種光刻模型生成方法，包括：

提供與光刻系統的弧形狹縫一致的弧形狹縫圖案；

將弧形狹縫圖案沿徑向分為多個子狹縫，所述多個子狹縫為連續的；

獲得每個子狹縫的子光刻模型；

則晶圓上一個區域的光刻模型為該區域所對應的多個所述子狹縫的子光刻模型的平均值。

可選的，對于所述的光刻模型生成方法，對于一個所述子狹縫具有方位角在晶圓上具有與所述每個子狹縫對應的長度坐標，其中r為所述弧形狹縫圖案的半徑，小于等于各自子狹縫的圓心角，x_i為在長度坐標中對應的直角對邊。

可選的，對于所述的光刻模型生成方法，所述長度坐標為所述每個子狹縫獨用。

可選的，對于所述的光刻模型生成方法，所述一個區域在所述長度坐標上的區間為[x_m，x_t)，對應在所述弧形狹縫圖案的方位角區間為則所述一個區域的光刻模型其中k≤n，k為所述一個區域所對應的所述子狹縫的數量，n為所述子狹縫的數量。

可選的，對于所述的光刻模型生成方法，所述多個子狹縫的圓心角為0.5度～5度。

可選的，對于所述的光刻模型生成方法，所述多個子狹縫的圓心角為0.8度～2度。

可選的，對于所述的光刻模型生成方法，所述多個子狹縫的圓心角相同。

可選的，對于所述的光刻模型生成方法，所述一個區域的寬度為10-20μm。

可選的，對于所述的光刻模型生成方法，n≥20。

本發明還提供一種OPC修正方法，包括如上所述的光刻模型生成方法。

可選的，對于所述的OPC修正方法，包括：將芯片單元分割為多個子區域，由每個所述子區域的邊界在長度坐標上的區間分別計算每個所述子區域的光刻模型。

可選的，對于所述的OPC修正方法，采用并行處理計算每個所述子區域的光刻模型。