[發明專利]光刻模型生成方法以及OPC修正方法

有效

• 申請號: 201810322842.7
• 申請日: 2018-04-11
• 公開（公告）號: CN110361927B
• 公開（公告）日: 2023-02-10
• 發明（設計）人: 杜杳雋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種光刻模型生成方法，其特征在于，包括：

提供與光刻系統的弧形狹縫一致的弧形狹縫圖案；

將弧形狹縫圖案沿徑向分為多個子狹縫，所述多個子狹縫為連續的；

獲得每個子狹縫的子光刻模型；

則晶圓上一個區域的光刻模型為該區域所對應的多個所述子狹縫的子光刻模型的平均值。

2.如權利要求1所述的光刻模型生成方法，其特征在于，對于一個所述子狹縫具有方位角在晶圓上具有與所述每個子狹縫對應的長度坐標，其中r為所述弧形狹縫圖案的半徑，小于等于各自子狹縫的圓心角，x_i為在長度坐標中對應的直角對邊的長度。

3.如權利要求2所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述長度坐標為所述每個子狹縫獨用。

4.如權利要求3所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述弧形狹縫圖案的方位角區間為所述一個區域在所述長度坐標上的區間為[x_m，x_t)，對應在所述弧形狹縫圖案的方位角區間為則所述一個區域的光刻模型其中k≤n，k為所述一個區域所對應的所述子狹縫的數量，n為所述子狹縫的數量。

5.如權利要求1所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述多個子狹縫的圓心角為0.5度～5度。

6.如權利要求5所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述多個子狹縫的圓心角為0.8度～2度。

7.如權利要求5或6所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述多個子狹縫的圓心角相同。

8.如權利要求1所述的光刻模型生成方法，其特征在于，所述一個區域的寬度為10-20μm。

9.如權利要求4所述的光刻模型生成方法，其特征在于，n≥20。

10.一種OPC修正方法，其特征在于，包括如權利要求1～9中任意一項光刻模型生成方法。

11.如權利要求10所述的OPC修正方法，其特征在于，包括：將芯片單元分割為多個子區域，由每個所述子區域的邊界在長度坐標上的區間分別計算每個所述子區域的光刻模型。

12.如權利要求11所述的OPC修正方法，其特征在于，采用并行處理計算每個所述子區域的光刻模型。